从CD向DVD光存储发展的关键技术

1998年是国际光存储技术从CD存储向高密数字DVD存储发展最关键的一年，国外称之为DVD革命。为此，着重论述从CD向DVD光盘发展的关键技术，包括DVD只读、DVD-可录、DVD-可随机重写等各类光盘的关键技术及相应生产线的技术升级。

含叔丁基吡喃鎓方酸菁染料的合成及溶解性能研究

合成了四个对称及不对称含叔丁基吡喃鎓方酸的菁染料,通过光谱和元素分析确定其结构,测定了它们的紫外-可见吸收光谱、熔点和溶解性能。结果表明吡喃鎓方酸菁染料比一般菁染料具有更长的吸收波长和更好的溶解性能。用Dye2的单晶分子堆积图解释了染料的熔点反常现象。

纳米Si薄膜的结构及压阻效应

使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术检测了纳米Ｓｉ薄膜的微结构纳米Ｓｉ薄膜由大量的细微Ｓｉ晶粒以及大量的晶粒间界面区组成．这一特殊的结构造成纳米Ｓｉ薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量．本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。

nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿．

对纳米硅薄膜高电导机制的探讨

使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算。指出，nc－Si：H股中高电导主要来自于细微晶粒的传导，界面可视之为非导体。另一方面，实验证实nc－Si：H股的电导率随平均品粒尺寸减少而增大，具有明显的小尺寸效应。文中首次提出，nc－Si：H膜的微晶粒具有异质结量子点（HQD）特性，并按此模型对nc－Si：H膜的电导率实验曲线进行了讨论。理论与实验结果符合得很好．又得出，硅薄膜结构在其晶态体积百分比Xc=0．30和0．70处呈现出两个明显的相变点。

纳米硅薄膜中的量子点特征

从电性和结构上论证了纳米硅薄膜中的细微晶粒(3～6 nm)具有量子点(Q.D)特征。在其电导曲线中呈现出随晶粒尺寸减而增大的小尺寸效应。使用薄层(～20nm厚)纳米硅膜制成了隧道二极管,已在液氮温区(≈77K)在其Ⅰ-Ⅴ及(?)-Ⅴ曲线上呈现出Coulomb台阶。对实验结果做了初步分析讨论。

纳米半导体器件与纳米电子学

本文综述了微电子技术向纳米空间（＝１０－９米）的进展所必将引起的一系列新的变化及其在半导体领域中蕴酿的一场技术革命，同时还论述了这一场技术革命所具备的思想基础及其发展概况．

纳米硅薄膜的应用前景

大家知道,纳米固体材料在当前急速发展的纳米科学与技术中占有突出的地位,它是一项面向21世纪的科学与技术,其发展具有广阔的应用前景。由于硅是当前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的半导体材料。目前世界上95%以上的半导体器件是用硅做成的[1]。后来发展起来的非晶硅(α-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜又是研制太阳能电池、TFT薄膜晶体管以及在光敏、力敏、色敏等方面有着特殊的功能而受到重视。近些年,新兴起的纳米硅薄膜(nc-Si)由于其新颖的结构特征使它具有一系列不同于C-Si和α-Si的鲜为人知的物性。我国科学工作者自90年代以来已对纳米硅薄膜材料的制备工艺、微结构以及光电特性进行了较为系统的研究,认为它在纳米科技以及纳米电子学领域中已占有一席之地,且已引起人们的重视[2～4]。纳米硅薄膜是一种新兴人工功能半导体薄膜材料,我们认为利用业已发现的其新颖的物性有可能继续往应用方面开发。

原子工程材料科学与技术简介

原子工程材料是指近年迅速发展起来的团簇、超微粒子、薄膜及半导体量子点阵新型低维功能材料。这些材料具有许多新奇物理性质,如强量子尺寸效应,巨磁阻效应,高电导率,强敏感性以及光致发光特性等。采用各种工艺技术制备这些材料,并采用扫描隧道显微镜(STM)等新型检测手段对其进行广泛研究。

X射线粉末衍射技术在酞菁同质多晶异构体研究中的应用

综述了无金属酞菁的晶体结构的研究状况、晶体类型的划分 ,并对晶型存在的合理性进行了初步探讨。

纳米硅薄膜的压阻效应

固体纳米材料已被认为是当前极有发展前景的一种人工功能材料.许多先进国家皆已把它列为21世纪重大课题而给予重视.我们使用了常规的PECVD薄膜沉积技术已成功地制备出具有纳米相结构的硅薄膜(nc-Si:H).由于纳米硅膜是由占体积百分比X_c≈50%的细微晶粒(d=3～5nm)及X_I≈50%的晶粒界面所组成,已发现大量界面组织的存在对nc-Si:H膜的结构和物性产生重要的作用.业已观测到。

硅基低维半导体材料

Ｓｉ／Ｇｅ超晶格外延生长技术的发展和纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）、多孔硅（ＰＳ）发光现象的发现，引起了人们对硅基低维材料的关注．文章简要综述了近年来在Ｓｉ／Ｇｅ超晶格的电子态和光学性质以及ｎｃＳｉ∶Ｈ。