InP材料的质谱分析及霍耳系数测量

本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析。在室温和液氮条件下，测量了（１００）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污主要来自硅。