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半导体光放大器引起的光控器件中的信号损伤分析 被引量：3
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作者 王拥军 吴重庆 +2 位作者 王智 王亚平 忻向军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期4042-4049,共8页
在双环耦合全光缓存器的基础上分析了全光分组交换网络中以半导体光放大器(SOA)为相移器件的反馈型全光缓存器输出的信号损伤,包括SOA的非线性及载流子恢复时间限制引起的脉冲畸变与连续码流中的图样失真和SOA的自发辐射噪声累积引起的... 在双环耦合全光缓存器的基础上分析了全光分组交换网络中以半导体光放大器(SOA)为相移器件的反馈型全光缓存器输出的信号损伤,包括SOA的非线性及载流子恢复时间限制引起的脉冲畸变与连续码流中的图样失真和SOA的自发辐射噪声累积引起的信噪比恶化及缓存器结构引起的"漏光"问题.理论分析及实验结果表明,在采用反相控制并注入高功率控制光的情况下,脉冲畸变与图样失真被抑制,由信噪比恶化及漏光决定的光分组的缓存圈数被限制在20—30圈.得到的结果对基于SOA的光缓存器及逻辑器件同样具有借鉴作用. 展开更多
关键词 全光分组交换 全光缓存器 信号损伤 半导体光放大器的噪声分析
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