8-羟基喹啉铝发光特性及老化的研究

8-羟基喹啉铝（Alq3）非晶薄膜发射峰同多晶粉末的发射峰启亮边的波长相同，但是非晶薄膜的发射峰比多晶粉末的发射峰红移了20nm左右。二者的吸收光谱基本相同，说明二者的能带宽度基本相同。非晶薄膜的结构与多晶粉末不同，导致二者的导带结构不同，是二者差别的主要原因。通过对不同条件下存放的单层8-羟基喹啉铝电致发光器件的老化研究，发现其老化的原因主要是器件工作电流的热效应引起非晶薄膜的重结晶。另外，在空气气氛下工作，铝电极的氧化等对器件寿命的影响也很大．改变器件的结构，提高器件的发光效率，减小器件的工作电流，可以大大提高器件寿命。