三代像增强器透射式GaAs阴极光电发射稳定性研究

为了解决三代像增强器管内阴极灵敏度下降问题,用质谱计对激活工艺过程进行质量检测,并确定了激活工艺参数,通过对阴极原子级洁净表面获得和激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,对制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线试验,结果表明:在10-9 Pa真空环境中,优化工艺激活的光电阴灵敏度(1 500μA/lm)稳定,而且500h不下降,铟封到管内的阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关。

GaAs-玻璃粘接透射式阴极光电发射在线稳定性研究

为了寻找三代像增强器管内阴极灵敏度下降产生的原因,用质谱计作为质量监测手段,通过对阴极原子级洁净表面获得、阴极激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,所制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线考核试验,结果表明,优化工艺激活的光电阴极在真空度10-9Pa,主要残气为H2、N2、Ar的超高真空度中存放500 h,灵敏度稳定。铟封到管内阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关,不是阴极自身的问题,重点应开展制管工艺质量对灵敏度影响分析研究。