基于LabVIEW的热物性测量仪控制系统研制

虚拟仪器是将仪器技术、计算机技术、总线技术和软件技术紧密融合在一起的仪器模式。为了研究飞秒、纳米时/空尺度下热输运过程并测量其热物性参数,本文基于软件平台Lab VIEW,结合硬件仪器研制了热物性测量仪的控制系统。研究了基于瞬态热反射法对微纳尺度材料的热物性测量原理,重点研究了飞秒激光抽运探测系统的软硬件构成,实现了一套热物性测量仪控制系统。该虚拟仪器控制系统测量精度高、界面友好,可实现微纳米材料热物性参数的测量。

基于LabVIEW的虚拟数字示波器设计

本文利用虚拟仪器技术进行数字示波器的设计，硬件选用NI公司的PCI-6251数据采集卡，软件为NI公司的LabVIEW编程环境。通过数据采集卡对模拟信号进行采集，根据不同的要求由软件对数据进行相应的分析、处理并显示保存，软件设计采用模块化设计思路。实验结果表明该虚拟数字示波器所测结果精确可靠，系统操作灵活，可扩展性强。

基于虚拟仪器的半导体特性参数测试仪的设计与研究

本文利用虚拟仪器技术进行了二极管,三极管伏安特性测试系统的研究设计。硬件平台选用NI公司的PCI-6251数据采集卡,实现数据的产生与采集;软件利用NI公司的LabVIEW 8.2开发平台完成。整个测试系统能方便的完成二极管,三极管的特性参数测试。

RESURF技术中LDMOS外延层单位面积杂质密度研究

LDMOS器件设计中,常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LDMOS器件,围绕当获得最优的器件结构时,其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开研究,给出了一种关于外延层单位面积杂质密度Ntot的近似解析表达式。经过大量的模拟仿真及数据分析,发现在最优器件结构中均匀掺杂的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度存在有规律的函数关系。最终,通过综合分析影响器件的关键因素,得到了最优器件的外延层单位面积杂质密度Ntot与衬底掺杂浓度的关系函数。

用于集成电路铜互连工艺的Low-K材料研究

随着集成电路的快速发展,集成电路互连成为限制芯片性能的主要因素,而降低介质层的介电常数是解决互连问题的重要途径。本文综述了用于集成电路铜互连工艺的低介电(Low-K)材料的制备方法及Low-K候选材料。等离子体增强化学气相沉积和旋涂沉积法可根据各自的优缺点适用于不同情况中,low-k候选材料有着各自优缺点,周期性介孔有机硅(PMO)材料是目前应用较为广泛的low-k材料。