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基于FPGA的F-RAM防掉电设计
1
作者
任泽宇
郭鹏程
+1 位作者
王建超
罗丁利
《电子科技》
2014年第7期89-92,共4页
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据。为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能。文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了...
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据。为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能。文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能。
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关键词
非易失铁电存储器
防掉电
现场可编程门阵列
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职称材料
题名
基于FPGA的F-RAM防掉电设计
1
作者
任泽宇
郭鹏程
王建超
罗丁利
机构
北方通用电子集团有限公司数字工程部
出处
《电子科技》
2014年第7期89-92,共4页
文摘
在复杂实验条件下,需采用非易失性铁电存储器记录重要数据。为防止二次上电时实验数据被覆盖,需设计防掉电功能。文中介绍了一种F-RAM的防掉电设计思路,并基于现场可编程门阵列实现,板级验证工作正常,并已在相关项目中得到应用且达到了预期功能。
关键词
非易失铁电存储器
防掉电
现场可编程门阵列
Keywords
ferroelectric nonvolatile ram
power down protection
field programmable gate array
分类号
TN79 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于FPGA的F-RAM防掉电设计
任泽宇
郭鹏程
王建超
罗丁利
《电子科技》
2014
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