压水堆核电厂稳压器电加热器焊接工艺研究

稳压器电加热器是压水堆核电厂稳压器的重要部件之一,直接浸没在一回路高温高压及带有核辐射的冷却剂中。包壳管与端塞的焊缝作为压力边界承受一回路的外部压力,焊缝质量要求极高,结构又较为特殊。通过研究该焊缝结构及焊接工艺,寻找出一种既满足高质量要求,又可工程化应用的焊接工艺方法。

浅析火力发电厂主蒸汽管道热电偶套管的强度计算

介绍了火力发电厂主蒸汽管道热电偶套管的强度校核计算方法,并通过一个计算实例,通过计算,对套管进行了校核。

相同外径不同壁厚管对接焊缝的超声波检测技术研究

外径相同但壁厚不同的管对接焊缝,在进行超声波检测时,按常规单面双侧检测需根据壁厚选择检测工艺,按薄壁管厚度检测,不满足厚壁管要求;按厚壁管壁厚检测,不满足薄壁管要求,易出现漏检。为此,文中采用5P6×6×2K2.5F5和2P6×6K1.5F10这2种探头分别在焊缝两侧进行检测,然后通过机械打磨的方式来验证缺陷的位置和大小。结果表明:采用2种不同K值探头在薄壁一侧进行检测,所得到的缺陷位置及大小与实际情况基本一致。

离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。

金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用

以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.

部分完美晶体器件工艺的改进和pn结反向电流的降低

为降低pn结反向电流可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺(PCDT).在实施过程中,作者对吸除工艺,应力补偿工艺等作了改进,进一步降低了反向电流.

氧本征吸除低温退火工艺的研究和改进

讨论了硅片中氧沉淀形成的机理，推荐一种本征吸除的改进技术，用以增强吸除效果。在本征吸除工艺的低温退火中，用连续的线性升温退火代替常规的恒温退火。采用改进的本征吸除工艺后，可增加硅片表面ＭＯＳ结构少子产生寿命和降低Ｐ＋Ｎ结二极管的反向电流。

a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合

应用红外光谱仪、分光光度计、光声谱仪和正电子湮没寿命谱仪,从不同的角度,研究a-Si:H和a-SiN_x:H薄膜中的成分、缺陷以及光生载流子的非辐射复合。

快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流

快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.

国产HVM3509硅高压整流堆的设计与制造

本文报道了国产ＨＶＭ３５０９微波炉硅堆的设计、关键制造工艺和研制结果．

超声振动对EA4T钢激光熔覆质量和性能的影响

采用超声振动辅助激光熔覆对EA4T钢表面进行修复,利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD),对比分析超声振动对EA4T钢激光熔覆成形质量、微观组织和物相组成的影响,通过显微硬度仪对熔覆层和基体的显微硬度进行测试。结果表明:超声振动作用下,熔覆层成形质量得到提高,原来方向性较强的枝晶组织被打断、打碎,枝晶偏析程度显著减轻;与此同时,施加超声振动晶粒得到细化,促进Cr_(23)C_6碳化物在枝晶上析出,但并未改变熔覆层物相组成;相比较未施加超声振动,超声振动作用下的熔覆层显微硬度分布更加均匀,平均显微硬度提高126.2HV_(0.2),热影响区平均显微硬度下降31.2HV_(0.2)。

国内外换热管与管板焊接工艺评定标准浅析

针对国内外换热管与管板焊接工艺评定常用的4个标准(NB/T 47014-2011、ISO 15614-8:2016、ASME BPVC-IX:2019和RCC-M S3000:2007),对其适用范围、试件形式、评定变素和验收准则等方面的异同进行了系统分析。结果表明,ISO 15614-8:2016标准几乎覆盖了各个领域的焊接工艺评定,且是唯一将管子排布方式进行区分评定的标准,其他3个焊接工艺评定标准只强调了焊接接头数量。ISO 15614-8:2016标准和RCC-M S3000:2007标准将管子-管板的间隙结构和胀接过程作为重要变素,而NB/T 47014-2011标准和ASME BPVC-IX:2019标准均未对管子-管板的配合间隙提出要求。4个焊接工艺评定标准均对外观检测、渗透检测及宏观金相作了近似要求,ISO 15614-8:2016标准对检验要求控制更为严格。通过分析几个标准的差异性及适用情况,为今后换热管与管板的焊接工艺评定提供了一定的理论指导和技术参考。

等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究

根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.

八阶二次数方的演变

提出匹配有两组对角线的八阶二次数方（幻方）．将此方作全对称行列搬动时，有８２／２＝３２种演变，图示９种；如作不全对称行列搬动时，则得强（Ｑｉǎｎｇ）体，图示１种．

硅中氧的FTIR研究

对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.

玻璃钝化功率整流二极管芯片国产化设计

从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管整机批量使用,取得了满意的结果。

4m阶多重全等子母数方

构成了 ８，１２，１６，３２阶多重全等子母方，并略论其演变．

环氧乙烷反应器多支多点热电偶国产化研制

本文介绍了环氧乙烷反应器工作原理。针对某乙二醇装置环氧乙烷反应器进口多点偶损坏的情况,详细分析了该反应器多支多点热电偶损坏的原因,并制定出可行性国产化方案,根据国产化方案进行了样品研制、试验和生产,最终实现国产化替代,并消除这一制约安全生产的设备隐患。

风道式电加热器温度场仿真与加热元件布局优化

采用Fluent模拟计算管状电加热器元件不同串列间距情况下风道式电加热器腔体内部的温度场分布,结果证明合适的串列间距形成的卡门涡街对气流的吸热状态具有积极作用,可应用于风道式电加热器加热元件布局的优化设计。