半导体放电管的设计考虑

介绍了一种程控电话交换机用的新颖过压保护固体器件的设计考虑。

浅谈影响半导体器件引线可焊性的因素

器件引线的可焊性直接影响整机的可靠性和稳定性。在整机的成千上万个焊接点中,只要有一个是虚焊或脱焊的,整台机器的运转就会不正常,甚至停止。造成虚焊或脱焊的因素很多,主要是半导体元器件引线可焊性差。影响引线可焊性的因素大致有: 1、锡镀层与基体的结合。镀层与基体结合好坏对可焊性影响较大。半导体三极管引线的基体材料一般是可伐材料,其成分是铁钻镍,含铁54％,镍29％,钴17％。铁和钴难与锡亲和,且容易氧化,必须在其上先镀一层镍。不过镍层也易形成一层氧化膜。加上半导体器件引线镀锡是采用成品管电镀方式。

半导体硅材料用的超高纯硅烷

本文用一种新开发的A型离子交换沸石来提纯甲硅烷,该沸石能吸附硅烷中的磷化氢。硅烷中磷化氢的含量通过硅烷分解所得硅的电阻率来确定。对硅的两种样品,即在硅衬底上的外延薄膜和单晶硅棒作了分析。在室温下,p型硅棒的电阻率在1×10~4～8×10~4Ω-cm之间,它与提纯的条件有关。一个用这种硅制造的表面势叠型的固体检测器,以X-射线和从^(207)Bi蜕变的电子流进行验证,表现出了非常好的特性。借助于气相色谱技术,用一模拟柱对吸附柱的特性进行研究。由此得出的最佳条件作为吸附柱的操作条件。

6σ技术在功率半导体器件生产中的应用

通过6σ质量管理技术的应用,及时诊断半导体器件生产过程中出现的过程不稳定趋势,探索用回归方程表达各个变量相关关系的方法。

分析半导体器件纵向结构参数均匀性

半导体材料中的缺陷和离子注入掺杂的不均匀性 ,将直接影响器件的主要电参数 ,甚至会降低产品的成品率 ,所以 ,分析半导体器件纵向结构参数的均匀性 ,在生产中起重要作用。进一步而言 ,此类分析能用来检验出直拉硅单晶中存在着的两种缺陷 。

汽车电子化与半导体器件

在机械工业的各个领域里,机械与电子结合实施机电一体化,这不仅实现了机械产品的多功能化,也为电子产品尤其是半导体器件提供了新的市场和需求。汽车电子化是机械与电子结合实施机电一体化的重要领域,它在很大程度上依赖于半导体技术的进步。

半导体大光腔激光器列阵

本文报告了一种具有实用价值的半导体大光腔激光器列阵。介绍了该器件的两种典型结构和基本特征,以及设计思想、制作工艺等。该器件阈值电流为2～4A,峰值功率为75～100瓦,是目前国内列阵器件的最高水平。

全集成式流量传感器

本文介绍了利用恒定芯片温度原理工作的全集成式流量传感器,它由三部分组成.CMOS温度敏感级、CMOS运放和加热部分,这三部分由CMOS工艺集成在同一芯片上,不需附加工艺.本文在给出温度敏感级的理论分析和流量传感器工作原理的介绍后,报道了传感器用于气体流速(氮气)和液体(水)流速的测量结果,结果表明,该传感器具有如下特点:输出电平和灵敏度高(在传感器芯片温度T_c与流体温度了T_f之差为15℃、流速V_f为50cm/s的氮气条件下,传感器的输出可达500毫伏);响应时间快(在T_c-T_f=5℃、V_f=50cm/s时,响应时间为7秒);芯片尺寸小(2.02×1.62mm^2);成本低(因用普通工艺);用单5伏电源工作与微处理机自然接口等.对水流流速的试验还表明,该传感器特别适合于低流速水的测量.

含氮CZ硅力学行为研究

用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。

γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响

利用N^+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了^(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。

IGCT的换流机理

提出一种独特的IGCT换流等效电路,建立相应的数学模型,并借助Mathematic软件对 该模型进行求解;分析了主要参量与换流时间的关系,在此基础上,描述换流后的关断过程,阐明 IGCT的换流机理。

高压台面功率晶体管的工艺分析

本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。

高灵敏触发晶闸管的设计和制造

本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。

GaAs热氧化自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究

本文介绍利用闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜掩蔽Zn扩散的研究。采用ZnAs_2作为扩散源,源区温度为610℃,样品在650℃下进行扩散,使用显微镜和染色的方法进行了结深的测量,其实验结果表明这种自生氧化膜具有掩蔽杂质Zn扩散的性能,并用标准的平面工艺,以自生氧化物作掩蔽膜,试制了变容二极管。

掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

运用卢瑟福背散射(RBS)和二次离子质谱(SIMS)技术相结合测量了SnO_2透明导电膜的密度和膜厚,对于常压CVD法制备的SnO_2薄膜密度约为6.20g/cm^3,接近相应块状材料的密度。采用^(19)F(p,αγ)^(16)O共振核反应技术测量了用于非晶硅太阳能电池电极的大面积掺氟SnO_2(FTO)中氟的含量和深度分布以及50—180keV的^(19)F^+离子注入SnO_2膜中氟离子的射程分布参数。结果表明,FTO膜中氟元素的含量和深度分布并不是均匀的,而是在0.6×10^(20)—6.O×10^(20)/cm^3间波动;50—180keV的^(19)F^+离子注入SnO_2膜中氟离子的平均投影射程(R_P)值与理论计算结果符合得很好,而平均投影射程标准偏差(ΔR_P)值则比理论值偏大。

绝压式BESOI负压传感器研制

采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10^(-6)/℃(FS).

F^＋＋B^＋双注入浅结研究

对不同条件的Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品和对应能量的Ｂ＋和ＢＦ２＋注入样品，作１１００℃．１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深．结果显示，用１×１１５／ｃｍ２的Ｆ＋预注入能有效地抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应，获得陡直的浅结．对样品的结特性测试表明，Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品的结漏电与Ｂ＋注入样品一致，小于对应能量的ＢＦ２＋注入样品．ＲＢＳ／Ｃ分析表明，只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区，就能抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应。

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm^2)、高剂量(1.8×10^(18)/cm^2)的190keV N^+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N^+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.

结构改进的高压VDMOS功率晶体管

本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。

离子束合成SOI多层结构的研究

本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O^+和注N^+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。