失效分析是提高元器件可靠性的关键工作——纪念航空航天部半导体器件失效分析中心成立四周年

本文强调失效分析工作在元器件可靠性工作中的重要作用.及对合理配置失效分析机构提出了一些建议.

半导体器件失效分析数据库

一、引言 随着微电子技术的发展,半导体器件已进入超大规模集成电路(VLSI)和高可靠性时代。而半导体器件可靠性的提高则强烈地依赖于半导体器件的失效分析工作。所谓失效分析就是对失效器件采用电测量和物理、冶金以及化学方面的许多先进分析技术,验证所报告的失效现象,识别其失效模式,分析研究其失效机理,确定产生这种失效模式原因,并提出防止这种失效模式重复出现,

半导体器件的静电放电损伤及防护(上)

一、静电放电(ESD)的损伤模型 半导体器件在生产、封装、传递、试验、运输、整机调试及现场运行时,都可能因静电放电(ESD)损伤而失效,对MOS电路尤其如此。 随着高分子材料的广泛应用,半导体器件在生产、使用环境中绝缘材料日益增多,所以半导体器件因静电放电引起的损伤日益严重。特别是大规模集成电路的发展,器件尺寸进一步减小,对ESD也更加敏感。

半导体器件的静电放电损伤及防护(下)

本文主要介绍了为防止半导体器件静电损伤,在设计上所采取的几种保护电路,以及在制造、测试、试验、传递、包装、运输、使用等各个环节中防止产生静电的措施。

失效分析与经济效益

搞好失效分析会带来巨大经济效益。本文试从我中心几年来的部分分析实例说明:质量工作中重要一环——失效分析和信息反馈对提高产品质量的重大作用,从而获得巨大的经济效益。元器件失效,坏了就扔掉。顺理成章。

二氧化硅上的铝金属化层失效模式分析

主要从 SiO_2的质量、铝金属化质量、电应力和热应力等诸多因素出发分析 SiO_2表面上铝金属化层的失效模式。

接口电路LN4993失效机理分析

通过对接口电路LN4993几次现场失效及厂家筛选中失效电路的分析，并做了ESD试验模拟试验，总结出LN4993几种失效模式，探讨其失效机理，发现这种NMOS电路ESD损伤阈值为1500V，电路失效多数是过电应力（EOS）或静电损伤（ESD）造成。

进口12位模数转换器AD_(572)SD失效分析案例

1 概况产品名称:×××型号计算机第17台上使用的12位模数转换器AD_(572)SD产品编号:电路批号 8812工程阶段:失效发生在进行综合测试时时间:1993年10月21日地点:实验室该电路由美国AD公司生产,二次集成电路,32条腿,陶瓷双列直插式封装,顶面上有金属盖板平行封焊,密封工艺良好。2 失效现象12位模数转换器失效,全部输出端恒为高电平。该电路从印制板上拆卸下来后,及时进行了仔细的失效分析。

半导体器件的静电损伤及防护

静电放电(ESD)损伤失效是半导体器件的重要失效原因。从静电产生、静电放电ESD损伤模型、抗静电能力分类、ESD的失效模式、使用中的防静电损伤措施等二方面予以介绍。其目的是为用户提供防静电损伤的科学依据。

国产二次集成电路的主要失效模式

本文全面总结了国产二次集成电路的主要失效模式，并在此基础上，从二次集成电路生产中的外购原材料、设计、工艺及使用等各方面，分析了其产生的原因。最后，针对反映出的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。

集成电路版图设计缺陷分析(实例)

一、前言 集成电路设计包括线路、版图、工艺方案和组装结构等,其中又以版图设计最为重要。良好的版图设计,不但本身很少带来不可靠因素,而且对工艺难以避免的问题也可预防或减弱其影响。由于设计缺陷对器件的危害性是带有批次性的,因此,设计缺陷在新产品试制阶段和修改设计后对产品质量的影响尤为突出。在此时强调设计缺陷分析,及时反馈纠正。

高纯气体中微量一氧化碳、甲烷、二氧化碳的气相色谱测定

气体中微量一氧化碳、甲烷、二氧化碳的测定,大多用灵敏度较高的氢焰离子化检测器(FiD)。随着半导体工业的发展,大规模集成电路的生产对高纯气体中一氧化碳、甲烷、二氧化碳的检测,提出了更高的要求。然而,对氢焰离子化检测器,随着灵敏度的提高,噪音明显增高,基线达到稳定需要较长的时间。我们采用液氮冷阱冷却载气,基线不仅能很快达到稳定,而且在高灵敏度时,噪音显著降低。长期测定结果表明,这一方法是完全可行的,能够满足集成电路生产对高纯气体中微量一氧化碳、甲烷、二氧化碳检测的需要。

高纯气体中微量水份的气相色谱测定

大规模集成电路的发展,对高纯气体中微最水份的测定提出了更高的要求。本文就高纯气体中微量水份的气相谱测定条件进行了系统的研究,制订了一个简便可行的分析方法,并对科研生产中使用的高纯气体N_2、H_2、Ar中微量水份含量进行了测定,结果满意。 1.仪器与试剂: 日本岛津GC—7AG气相色谱仪,热导检定器;北京分析仪器厂8021型浓缩进样器,色谱柱长1m、内径3mm不锈钢管;固定相60～80目GDX—105,经200℃老48小时后使用;浓缩柱为26×8×36mm^(3)

做好DPA保证可靠性

DPA是破坏性物理分析的简称,它是航天总公司为了保证航天型号的可靠性,在元器件方面采取的重大措施。1998年度航天发射任务取得了圆满成功,可以充分说明这一措施是十分有效的。

对数正态分布及其应用

本文研究了截尾数据对数正态分布参数和恒定应力加速寿命试验中参数的解析估计方法以及可靠性特征量估计。对同一失效数据的对数正态分布参数的GLUE和MLE估计进行了比较。为寿命和加速寿命试验提供了统计分析方法和应用结果。

筛选时间的确定

本文研究在威布尔分布下筛选时间的点估计和置信上限估计,分别包括图估计和数值估计。推导了为确定筛选时间的置信上限而建立的方程式。确定了IC高温动态老化的筛选时间。为制定筛选技术条件和确定整机老练时间提供理论依据。

环氧树脂在电子工业中的应用和改性

介绍环氧树脂在电子工业中应用于封装和灌封的优缺点，环氧树脂的改性及实现环氧封装料低应力化的几种方法，并对改性后封装料的性能和机械性能作了说明。

国产二次集成电路的主要失效模式及分析

在总结了国产二次集成电路的主要失效模式的基础上，分析了其产生的原因，并针对反映的生产和使用中的问题提出了切实可行的建议。

军用运算放大器112例综合分析

综合分析了五年来半导体器件112例军用运算放大器的失效模式及机理。指出了质量管理的重要性,反映了军用电路从生产、交检到使用所存在的问题并提出保证可靠性的四点建议。

双极 IC 电浪涌损伤诊断技术

以进口双极ＳＮ５５１８９Ｊ电路和国产双极５４Ｓ００电路为典型示例，系统介绍集成电路电浪涌损伤的诊断技术和分析技术，说明了如果ＩＣ电路出现电浪涌损伤现象，应从电路设计、制造、使用三方面全面地查找原因，采用先进技术和手段准确地诊断出电浪涌产生的根源、途径，从而采取有效措施彻底消除电浪涌的损伤。