分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究

本文报道在晶格失配ＧａＡｓ衬底上分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度研究结果．用位错腐蚀坑密度（ＥＰＤ）、Ｘ射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法，对ＣｄＴｅ缓冲层以及ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析．研究发现退火可以有效地降低ＨｇＣｄＴｅ薄膜的位错密度．

Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用

ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得．人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的加入能有效地改善器件的性能．由于对Ｂｅ基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发，用原子轨道线性组合（ＬＣＡＯ）方法计算了Ｂｅ－Ⅵ化合物及其他Ⅱ－Ⅵ族化合物价带的ｏｆｓｅｔ．结合带隙的实验值，给出了Ⅱ－Ⅵ族化合物导带的ｏｆｓｅｔ．粗略分析了Ｂｅ基二元化合物用于ＺｎＳｅ载流子限制的可能性．根据虚晶近似，用插值方法计算了Ｂｅ基四元合金相对于ＺｎＳｅ价带、导带的ｏｆｓｅｔ．讨论了Ｂｅ基四元合金用作活性层和载流子限制层的可能性．