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半导体中的自旋弛豫——从体材料到量子阱、量子线、量子点 被引量:5
1
作者 王建伟 李树深 夏建白 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2006年第2期228-249,共22页
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实... 本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。对于不同材料中的各种弛豫机制,关注的重点在于如何能够在实验上以一种可以控制的方式来改变可调参数从而达到控制自旋弛豫过程。这些参数主要有电场、磁场、温度、应变、有效g因子等等。本文的组织上,首先介绍研究前景,第1部分简要介绍了自旋弛豫的四种机制。第2部分按照维数的不同将半导体中自旋弛豫分为3个部分:体材料、量子阱、量子线、量子点,在每一部分中又基本上按照电子、空穴、激子的顺序进行了简要的总结:对于不同的载流子,考虑了自旋弛豫对可调参数的依赖关系。这些结果要么试图解释了已有的实验结果,要么从理论上给出预言从而给实验指明了方向,为室温下可以使用的自旋电子学器件设计提供了依据,为固态量子计算和量子信息处理铺平了道路。最后简单地给出展望。 展开更多
关键词 自旋弛豫 半导体 体材料 量子阱 量子线 量子点
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用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ一Ⅱ类超晶格转变点 被引量:2
2
作者 李国华 江德生 +2 位作者 韩和相 汪兆平 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期36-36,共1页
近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。
关键词 光致发光 GAAS/ALAS 晶格 转变点
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GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
3
作者 张耀辉 江德生 +3 位作者 李锋 吴荣汉 周均铭 梅笑冰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第10期652-657,共6页
我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散... 我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使L.Esaki和Tsu所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。 展开更多
关键词 GAAS/GAALAS 超晶格 激子峰 电场
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GaAs/AlAs超晶格中的纵光学声子模的近共振散射研究
4
作者 汪兆平 韩和相 +2 位作者 李国华 江德生 Klaus Ploog 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期317-321,共5页
在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO... 在室温和背散射配置下,测量了GaAs/AlAs超晶格的Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘GaAs衬底上.激发光源用Kr离子激光器的6471A和 6764A线.在近共振散射下,由于弗洛里希作用的共振增强效应,具有A_1对称性的LO偶模的散射强度远远强于具有 B_2对称性的奇模.但偶模仅在偏振谱中观测到,在退偏振谱中观测到的仍是奇模,仍然和非共振散射下的情况一样,有同样的偏振选择定则。此外,二级散射谱也观测到了. 展开更多
关键词 GaAs/Al/As 超晶格 声子模
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GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化研究
5
作者 袁之良 徐仲英 +4 位作者 许继宗 郑宝真 江德生 张鹏华 杨小平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期309-313,共5页
本文首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应.在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的... 本文首次报道(311)面上生长的GaAs/AlAs波纹超晶格中的激子局域化效应.在这种结构中,波纹异质结界面的缺陷,包括周期微扰和表面不平整将引入较深的激子束缚能级,因此低温下其发光能量相对于(100)样品发生明显的红移.在Ⅱ类超晶格中,局域化能级成为X能谷电子向能谷输运的通道,从而加强了X-电子态混合,使实验观察到的X跃迁表现出跃迁的某些性质. 展开更多
关键词 砷化镓 砷化铝 超晶格 激子局域化效应
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GaAs/AlAs超短周期超晶格中的纵光学声子模
6
作者 汪兆平 韩和相 +1 位作者 李国华 江德生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期381-386,共6页
在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是... 在室温和非共振条件下,测量了超短周期(1—3个单层)GaAs/AlAs超晶格的 Raman散射光谱.样品用分子束外延方法生长在(001)晶向的半绝缘 CaAs衬底上.实验结果表明,在这种超短周期超晶格中存在两种作用:一种是光学声子的限制效应,另一种是混晶化效应.对于单层超晶格,在各种散射配置下的 Raman光谱都与Al(0.5)Ga_(0.5)As三元混晶的Raman光谱十分相似.而对于4个单层或者更厚的超晶格样品,混晶化效应基本可以忽略,仅仅表现为界面效应,光学声子的限制效应起主导作用. 展开更多
关键词 GAAS/ALAS 超晶体 光学声子模 光谱
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GaAs/GaAlAs超晶格的Wannier-Stark效应
7
作者 张耀辉 江德生 +2 位作者 李锋 周均铭 梅笑冰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期316-321,共6页
我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.... 我们用光电流谱方法在室温和低温下观察了短周期GaAs(35A)/Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3(35A)超晶格的Wannier-Stark效应.在中等电场下,观测到了反映等能量间距的“Stark梯”的谱形.并且发观了激子态由于场致局域化导致的由准三维向准二维转变.我们详细地讨论了跃迁强度随电场的变化,与应用夏建白等提出的计算模型得出的结果十分符合,证明了光电流谱中的结构,即使在较低的 10~4V/cm的电场下是由于 Wannier局域化引起,而不可能是鞍点激子引起的. 展开更多
关键词 超晶格 光电流谱法 电场
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流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运 被引量:2
8
作者 武建青 刘振兴 +1 位作者 江德生 孙宝权 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期303-308,共6页
我们研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同.当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至EΓ1子能级和EΓ2子能级中间或更低能量位置时,未... 我们研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同.当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至EΓ1子能级和EΓ2子能级中间或更低能量位置时,未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩,反而稍有变宽.同时,平台电流随压力增大而增加,直到与EΓ1-EΓ1共振峰电流相当.我们认为,由于垒层很薄,Γ电子隧穿通过垒层的几率很高,EΓ1-EΓ1共振峰显著高于EΓ1-Ex1共振峰,因此,高场畴区内的输运机制在压力下仍由Γ-Γ级联共振隧穿控制.但由于X子能级随压力升高而降低,导致隧穿通过Γ-X垒的几率增加,非共振背景电流增大.由于电流连续性条件的要求,高场区的电场强度增强,导致在高压力下平台宽度随压力稍微变宽. 展开更多
关键词 砷化镓 砷化铝 超晶格 低温纵向输送
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GaAs/GaAlAs量子阱双色红外探测器的光电性质的研究 被引量:3
9
作者 崔丽秋 江德生 +6 位作者 张耀辉 吴文刚 刘伟 宋春英 李月霞 孙宝权 王若桢 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期573-580,共8页
本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的... 本文综述了有关新型的GaAs/AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作.双色探测器工作在3~5μm及8~12μm大气窗口波段范围,是光伏响应模式和光导响应模式相结合的偏压控制型两端器件.研究内容包括探测器的器件结构特性、红外光吸收特性、红外光电流响应、暗电流、噪声特性和探测率测试分析等等.首次从理论和实验两方面探讨有关量子阱束缚子能带到扩展态中不同虚能组之间的光跃迁问题及光电子输运问题. 展开更多
关键词 量子阱 红外探测器 光电性质 砷化镓
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InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究 被引量:1
10
作者 吕振东 徐仲英 +4 位作者 郑宝真 许继宗 王玉琦 王建农 葛惟锟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第8期631-635,共5页
当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时,在InAs量子点结构中,清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰.研究表明,此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光,局域化能量为12meV,发光具有二维特性.在相同的生长条件下,此发光峰位置与... 当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时,在InAs量子点结构中,清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰.研究表明,此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光,局域化能量为12meV,发光具有二维特性.在相同的生长条件下,此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关.这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质. 展开更多
关键词 砷化铟 砷化镓 量子点结构 光致发光
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(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱结构的静压光致发光和共振喇曼散射研究
11
作者 李国华 韩和相 +3 位作者 汪兆平 李杰 何力 袁诗鑫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期199-207,共9页
(CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80... (CdTe)_m(ZnTe)_n-ZnTe多量子阱是由(CdTe)_m(ZnTe)_n短周期超晶格限制在ZnTe势垒中组成的新结构。它可以提高CdTe/ZnTe异质生长的临界厚度。静压下的光致发光研究表明加压后(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格和ZnTe势垒层的光致发光峰分别以8.80和 9.47meV/kbar的速率向高能移动。利用这种静压下的带隙变化,实现了与514.5和488.0nm激发光的共振喇曼散射。观察到高达4阶的多声子共振喇曼散射。并发现与(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格共振时的类ZnTe LO声子模频率比与ZnTe热垒共振时的ZnTe LO声子频率低1.4cm^(-1)。反映了在(CdTe)_m(ZnTe)_n超晶格中LO声子的局域效应。 展开更多
关键词 化合物半导体 量子阱结构 光致发光
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P-InP MIS结构界面陷阱的深能级研究
12
作者 卢励吾 周洁 +1 位作者 瞿伟 张盛廉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第11期72-75,共4页
对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和In... 对经PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)生长的P-InP MIS结构的界面陷阱进行了研究。样品介质膜生长是在特定条件下进行的。分别利用C-V和DLTS(Deep Level Tran sient Spectroscopy)技术进行研究。结果表明,在介质膜和InP之间的InP一侧有界面陷阱存在,并获得了与之有关的深能级参数。这些陷阱可能是在不同生长条件的介质膜淀积过程中等离子体引进的有关辐照损伤。 展开更多
关键词 MIS结构 界面陷阱 深能级 INP
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钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究
13
作者 卢励吾 周洁 武国英 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期23-27,共5页
利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个,在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10^(13)—10^(14)cm^(-3)之间.它们的产生可归因于替位钛原子,钛与RTA相互作用的络合物.
关键词 硅化物 溅射 深能级 瞬态谱
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3~5微米双势垒量子阱红外探测器结构在不同偏压下的光伏响应 被引量:4
14
作者 崔丽秋 江德生 +3 位作者 张耀辉 刘伟 吴文刚 王若帧 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期557-560,共4页
首次采用不同偏压下的光伏谱方法无损测量到双势垒量子阱红外探测器结构的量子阱带间跃迁光伏谱响应.分析结果支持探测器有源区存在内建电场的说法:量子阱区存在由生长不对称引起的指向衬底的内建电场,同时势垒区存在相反的内建电场.
关键词 双势垒量子阱 红外探测器 光伏响应
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GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器 被引量:2
15
作者 张耀辉 江德生 +7 位作者 夏建白 刘伟 崔丽秋 杨小平 宋春英 郑厚植 周增圻 林耀望 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期151-154,共4页
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体... 本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3.0×109cm·Hz1/2/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8~12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×109cm·Hz1/2/W. 展开更多
关键词 红外探测器 砷化镓 GAALAS 量子阱 探测器
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δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移 被引量:1
16
作者 程文超 夏建白 +5 位作者 郑文硕 黄醒良 金载元 林三镐 瑞恩庆 李亨宰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期497-500,共4页
本文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移,它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果.这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释.基于有效质量近似,计算了自... 本文报告了在δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移,它不同于在GaAs和GeSi超晶格中观察到的结果.这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释.基于有效质量近似,计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化,理论结果证实了实验结果的正确性. 展开更多
关键词 掺杂 结构 多量子阱 吸收边 漂移
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p型Si_(1-x)Ge_x应变层中重掺杂禁带窄变的计算 被引量:1
17
作者 吴文刚 张万荣 +1 位作者 江德生 罗晋生 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第6期639-643,共5页
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变... 针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在<100>Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2~3×10^(19)cm^(-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。 展开更多
关键词 锗硅合金 应变 重掺杂 能带结构 半导体
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自组织生长的量子点结构及其光学特性 被引量:1
18
作者 汪兆平 韩和相 李国华 《光散射学报》 1997年第1期29-39,共11页
本文介绍量子点结构的自组织生长方法及量子点的光学性质。着重介绍量子点结构中的声子和拉曼散射的测量结果。此外,也介绍了自组织生长的量子点的形貌结构特性,电子结构和发光特性。
关键词 量子点 自组织生长 拉曼散射 发光特性 半导体
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GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
19
作者 王杏华 李国华 +5 位作者 李承芳 李月霞 程文超 宋爱民 刘剑 王志明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-206,共5页
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺,将GaAs/AlGaAs量子阱外延材料制成量子点阵,其光荧光谱显示出蓝移,并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大.
关键词 量子点阵 荧光特性 砷化镓 量子阱 铝镓砷
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自组织生长InAs量子点发光的温度特性
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作者 吕振东 杨小平 +9 位作者 袁之良 徐仲英 郑宝真 许继宗 陈弘 黄绮 周均铭 王建农 王玉琦 葛惟昆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期793-796,共4页
本文报道InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12~150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明... 本文报道InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12~150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程. 展开更多
关键词 自组织生长 砷化铟 量子点发光 温度特性
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