用微弱信号检测技术研究光电阴极

本文概括介绍了用微弱信号检测技术研究光电阴极的光吸收、组分、电子亲和势、折射率、衰减率和透射率等.并提出用微弱信号检测技术可以改进多碱光电阴极的制备工艺和性能。探索Ⅲ—Ⅴ族负电子亲和势光阴极的蒸发方法,从而降低Ⅲ代夜视器件的成本.

末敏弹红外伪成象探测系统目标识别技术

通过理论分析及计算机模拟,提出了用矩不变法对由末敏弹红外伪成象探测系统获得的在简单背景条件下的目标进行自动识别的实用算法。特别在原不变矩法所使用的7个绝对不变矩(平移、施转、比例不变)的基础上,引进了β函数,改进了原不变矩,使不变矩对图象灰度(强度)有极好的稳定性。这一特性放宽了对图象预处理的要求。另外,该文引用目标投影函数方法计算原点矩,并在理论上和计算机模拟结果中分析了采用二个改进的不变矩描述目标特征的可能性。

波分复用光纤象束系统成象质量研究

用成象系统象的光学信息量分析了波长复用对象束系统传象质量的影响。波长复用增加了象束中每根光纤传输的象元数,从而改善了象束的成象分辨率和信噪比。

全静电摄像管聚焦偏转系统的正交设计

采用图案电极的静电聚焦静电偏转(SS型)摄像管具有功耗低、扫描频率可变、分辨率高、体积小和重量轻等优点。该文采用计算机辅助设计,分析、讨论了改进型单透镜式(三电极结构)全静电摄像管的结构参量、电参量对电子束的聚焦偏转特性的影响,并应用正交设计法对聚焦偏转系统进行了正交优化设计,给出了该系统的结构参数。

静电偏转型摄像管聚焦偏转系统设计Ⅰ—场的计算

磁聚焦静电偏转(MS)和静电聚焦静电偏转(SS)型摄像管具有图像失真小,分辨率高且均匀,电子束易于垂直上靶,阴影小等优点,所以受到人们的重视。但图案偏转电极的形状复杂,非对称场的计算较困难。本文对静电偏转型聚焦偏转系统的结构作了分析研究,远用分离变量法给出了圆柱坐标中静电聚焦(旋转对称)场和静电偏转(非旋转对称)场的解析解,并给出了计算实例。

多晶半导体三碱光电阴极厚度的理论研究

本文利用辐射强度指数衰减率和多碱阴极光吸收系数公式，首次研究了多晶半导体三碱光电阴极的最佳厚度。研究结果表明：当Ｉａ／Ｉ。大于０．４时，阴极厚度应在１００ｎｍ以上，并且Ｄ随Ｉａ／Ｉ。上升而增加，高能光子产生的光电子出现在阴极内表面层。并首次从理论上预测了对红外敏感的在可见光范围具有很高响应的三碱阴极的最佳厚度为１２０ｎｍ左右，这与实验结果非常一致。

静电偏转型摄像管聚焦偏转系统设计(Ⅱ)——电子轨迹的追迹计算

论述了磁聚焦静电偏转(MS)型和静电聚焦静电偏转(SS)型聚焦偏转系统设计中有关电子轨迹的计算方法,给出了复合场中的运动方程和数值求解方法,并用矩阵方法对28项电位解析函数偏导作了优化处理。史中还给出了螺线管轴上和轴外磁通量密度分量及其一阶导数的矩阵式。讨论了电子轨迹在r=0的计算式。最后给出了计算实例。

CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20～200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。

New S-25光电阴极红外延伸原因研究

该本研究了S-25与New S-25光电阴极的红外光谱响应特性,分析了New S-25光电阴极红外延伸的原因。研究结果表明:在850～1000 nm范围内New S-25光电阴极红外光谱响应明显提高,主要归因于阴极层较厚,具有较大的阴极结构参量和截止波长。这既是New S-25光电阴极的创新之处,也代表了碱锑光电发射材料的发展方向。

CsI/Au膜系的热稳定性

本文利用 Ar^+离子剥离技术,对423温度处理前后的 CsI/Au 样品作了 xps 分析,同时作了 CsI/Au/LiF 光电发射测量,并与文献报导的 CsI/Ni 以及 CsI/Ni/LiF 的研究结果作了分析比较,表明了 CsI/Au 热稳定性优于 CsI/Ni,用 Au 作为 CsI 导电衬底,将有利于远紫外探测器在复杂的空间温度环境中保持高的信噪比。

高分辨率摄象管聚焦偏转系统设计

本文研究了MS型SS型摄象管的聚焦偏转系统的设计理论与设计方法。开发出性能广泛的计算机设计程序软件包,并设计制作出全静电摄象管的试验样管。

气体放电光源在紫外光阴极研究中的应用

本文根据紫外光阴极的应用波段和研究方法,指出,在合理设计阴极结构的基础上,研究工作的重要环节在于如何选用有效的检测光源。文中详细介绍了各种检测光源的光谱特性,并就氢真空紫外辐射源的应用,讨论了研制真空紫外光阴极的有关测试技术。

三碱阴极量子产额谱的研究

本文讨论了Na2KSb（Cs）光电阴极的量子产额。引进阴极结构参数P和单晶吸收系数αp（hv）,推导了半透明多碱阴极量子产额表达式。通过选择合适参数,求得的S20,S20R,S25,Varo,New S25和LEP*（＊法国电子学和应用物理实验室制备的三碱阴极）光电阴极的量子产额谱与实验完全一致。文中还计算了理想三碱阴极的量子产额。结果表明三碱阴极仍是很有发展潜力的实用光电阴极。

湍流大气中定位目标反射回波的光强概率密度函数

本文在分析定位目标粗糙界面和大气湍流对传输光束影响的基础上,运用双随机场模型得到了激光束在弱湍流大气中传输经定位目标反射回波光强起伏的概率密度函数和光电子计数统计关系。

类金刚石碳膜的热学特性

利用珀尔帖效应,采用三夹层技术测量了类金刚石碳(DLC)膜的热传导率,并指出在高离子轰击能量和低CH_4气压下。通过rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性,其热传导率为2.1—2.4W/cm.deg。

半透明多碱阴极浅氧敏化研究

根据多碱阴极理想模型:Na_3KSb+K_2CsSb+sb·Cs 偶极层,提出用 Cs_2O 取代 K_2CsSb+Sb·Cs 偶极层,很可能形成 p—n Na_2KSb—Cs_2O异质结光电阴极。用研制的氧发生器,以常规的碱金属源在超高真空系统中制备了 Na_2KSb,然后采用 NEA 光电阴极的激活工艺,用铯、氧交替激活 Na_2KSb,获得 p—n Na_2KSb—Cs_2O 光电阴极。结果表明,这种光电阴极在紫外—红外范围内具有较高的量子产额,其长波截止超过1.06um,达到1.1μm。

射频等离子体沉积类金刚石膜微结构的表征

利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp^3C-C键为主,并且sp^3碳成分随V/Pa^(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃无关,DLC膜具有好的热稳定性。DLC膜密度研究指出:膜密度与沉积参量和基底材料有关。

电子枪与像管等真空电子束器件的辅助设计

本文应用差分迭代的数值方法和热电子发射的统计理论,编写了一个用于设计计算电子枪、静电透镜和各类像管的通用软件包,并能用CAD绘出各种图表。文中给出一些实例,其计算结果均与实测或资料给出的相符。文中还提出了最佳统计像曲的概念,以及等位线的追迹和电子束管中有关离子轨迹的追迹方法等。

类金刚石膜的电子能谱(XAES,XPS)研究

利用X射线光电子能谱仪和X射线激发的俄歇电子谱CKLL(XAES)的一次微分析,研究了DLC膜,发现由rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性(在200～800℃退火温度下,真空加热1h后),以及DLC膜/Si、DLC膜/Ge界面处含有少量的Si-C、Ge-C键。

远紫外CsI/Au/Lif光阴极特性研究

本文作了CsI/Au/LiF远紫外光电发射特性研究。在105～167um波长范围本征发射平均量子效率15-18%电子/光子。423K温度退火处理半小时前后,ESCA分析表明CsI层与Au膜具有高度的相容性。阈值光电发射随CsI表面C和O_2污染而下降。