新原理光电探测阵列的微光响应测试研究

针对暗电流低、灵敏度高等优点的新原理量子效应光电探测器,设计和加工了增益可调CTIA读出电路,以获得宽动态范围读出。读出电路芯片与1×64元量子效应光电探测器集成封装,在室温(300K)条件下进行读出测试研究。光源采用633nmHe-Ne激光器,直径50μm光斑聚焦照射。测试结果表明:器件偏压为-0.1V,激光功率150pW,积分时间78μs,响应电压55mV,电压响应率达到3.67E+08V/W。根据测试结果,提出了进一步降低暗电流影响的改进测试方案。

太赫兹量子阱探测器的暗电流抑制电路研究

主要研究了太赫兹量子阱探测器读出电路中的暗电流抑制模块。首先从理论上分析了太赫兹量子阱探测器产生暗电流和光电流的原理。由于太赫兹量子阱探测器中电子输运行为非常复杂,难以通过理论推导建立精确等效电路模型的解析表达式。通过对太赫兹量子阱探测器的电流电压实验数据进行拟合,提出压控电流源等效电路模型。利用此模型设计读出电路信号源及暗电流抑制模块,结合读出电路进行仿真验证电路模型的准确性。发现与传统暗电流抑制电路相比,压控电流源电路模型能够在器件工作偏压变化时对其暗电流进行精确抑制,提高读出电路性能,因此更适合作为太赫兹量子阱探测器读出电路的暗电流抑制模块。