一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术

研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制。同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象)。光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6μm附近。