碳化硅铝合金材料触变成形电子封装壳体研究

采用有限元软件DEFORM-3DTM,开发了热力耦合触变成形电子封装壳体模拟模型,模拟了SiCp/A356(铝合金)复合材料电子封装壳体的成形过程。对触变成形过程中坯料流动速度、等效应变和温度分布进行了分析,并对可能产生的成形缺陷进行了预测。结果发现,使用半固态触变成形技术可成形SiCp/A356复合材料电子封装壳体,在挤压速度为100mm/s、坯料温度为580℃时,能够较好地满足电子封装壳体尺寸的要求,但成形过程中常伴有低于半固态温度的热加工现象出现。

科研生产型研究所构建核心竞争力的途径

核心竞争力理论认为，企业是一个能力系统或能力的特殊集合，企业竞争优势的差异是由于企业能力不同造成的。企业各种能力中的核心部分，可以通过整合和外向辐射等，作用于企业的其他各种能力，影响着其他能力的发挥和整体能力效果。核心竞争力是优于竞争对手并且不易被竞争对手所模仿的、拥有的独特的获取利润、谋求生存和持续发展的能力。科研生产型研究所是集研发、生产、

CVD金刚石表面金属化Cr/Cu/Ni/Au的研究

用化学气相沉积（CVD）金刚石表面金属化，制备了多层膜Cr／Cu／Ni／Au，膜层与CVD金刚石基体间的附着强度高。运用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和差热分析（DTA）对Cr／CVD金刚石界面进行了分析，发现在金属化温度低于300℃时，Cr与CVD金刚石之间无化学反应，并对附着机制进行了探讨。在对Cr／CVD金刚石进行热处理时发现，在474．6～970℃之间，DTA曲线有明显的吸热效应，即界面有化学反应产生。在经900℃左右热处理后，XRD分析界面有Cr3C2和Cr7C3生成。

等体积流量法在触变锻造流动前沿的应用研究

半固态成形技术是一种介于常规铸造和锻造成形之间的金属成形方法。针对半固态成形,特别是触变锻造成形中浆料流动前沿开裂等质量问题,首次提出了流动前沿等体积流量的概念,并将其运用到半固态成形模具优化设计中。分别使用平锻模和经优化设计的锻模对A356铝合金进行了半固态工步挤压和镦粗试验。通过比较分析表明,使用根据流动前沿等体积流量理论设计的模具可以有效防止流动前沿的开裂。本研究所提出的等体积流量理论为半固态成形件质量改进提供了重要的理论和实验指导。

钽掺杂的钌基厚膜电阻导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的研究

本文报道了钽掺杂钌基厚膜电阻制备过程中导电相和玻璃相颗粒尺寸效应的实验研究结果。当导电相和玻璃相颗粒尺寸分别达到25和50nm时,电阻阻值和电阻温度系数也随之发生显著变化,并尝试根据厚膜电阻导电机理对其产生的原因进行定性的分析。

高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状

介绍了烧结AlN陶瓷的烧结助剂的选择原则以及几种单一烧结助剂和多元烧结助剂的低温助烧机理;讨论了烧结助剂的类型、添加方式、加入量等对AlN陶瓷力学、热学性能的影响;并对低温烧结高导热AlN陶瓷的发展趋势提出了一些看法。

基于MEMS工艺的集成爆炸箔起爆器研究

针对传统爆炸箔起爆器功耗高、体积大等问题,对基于MEMS工艺制备的低功耗、小型化集成爆炸箔起爆器进行研究。从仿真设计、工艺制备和试验表征3个方面对集成爆炸箔起爆器进行了较为系统的研究。试验结果表明:运用MEMS工艺制备的集成爆炸箔起爆器可成功起爆HNS炸药,采用PC/Cu复合飞片与SU-8光刻胶等新型材料集成制备爆炸箔起爆器是可行的。

一种微处理器控制电子引信电路的设计

针对机械式引信系统可靠性低、精度差,以及模拟电子引信系统抗干扰性差等问题,研究设计了一种微处理器控制的电子引信系统。文章以一种多功能引信电路为例,介绍了微处理器控制引信系统的设计及工艺制造。样品的试验结果和使用情况表明,该设计方案切实可行,安全可靠;参数修改、调整灵活便捷;设计思路新颖,并具有推广性。

功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制

阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷基板。

基于成组技术的厚膜混合集成电路(HIC)基板生产研究

厚膜混合集成电路(HIC)以其小体积、高可靠性和较强的环境适应性等性能指标,广泛应用于航天、航空、兵器、电子等武器装备领域。但是在多品种、小批量、短交期等订单特点的约束下,对于自制件厚膜电路基板的生产也带来了极大的约束,一方面无法采用大批量生产模式组织生产,另一方面生产资源利用率不高导致成本居高不下,因此必须进一步优化、改进生产管理模式。文章针对这种多品种、小批量、短交期厚膜混合集成电路(HIC)订单的特点,基于成组技术原理,提出一种自制件基板生产管理方式。

混合集成电路静电放电薄弱环节识别及静电防护研究

静电放电及防护是一门有关静电产生、危害及防护的独立技术,是产品设计与制造环境不可或缺的一个重要的环境技术。该文通过对混合集成电路静电放电的特征与危害的论述,薄弱环节的识别分析,分析了混合集成电路从元器件采购、生产制造直至包装运输等过程存在的ESD薄弱环节,提出了静电防护的技术和管理措施。

混合集成电路军品物料批次一致性约束下的库存研究

通过对混合集成电路军品物料批次现状的分析,将ABC分类法思想与经济订购模型相结合,并针对不同类的物料分别设定订购点和订购批量。该模型在某研究所进行了实际应用,取得了较好的库存控制效果。

(TAGH)ClO_4的结构、热力学及感度性能

以三氨基胍和高氯酸为原料,合成了三胺基胍高氯酸盐(TAGH)ClO4)。利用X-射线单晶衍射仪测定了其晶体结构。结果表明,晶体属于单斜晶系,空间群为P2(1)/c,晶胞参数为a=1.0213(11)nm,b=1.4869(15)nm,c=1.0936(11)nm,β=102.91(2)°。该化合物的分子式为CH9ClN6O4是由三胺基胍离子和高氯酸根结合形成的离子化合物,分子中含有大量的氢键。利用元素分析、红外光谱、DSC、TG-DTG等方法对标题化合物的组成和热力学行为进行了表征,结果表明,在10℃/min线性升温速率下标题化合物在457.03℃时质量损失达到99.7%。感度实验结果表明,标题化合物具有较低的摩擦感度,在撞击和火焰作用下均不发火。

高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析

阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。

混合集成电路技术发展与展望

混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求。文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提出发展我国HIC的目标和建议。

高T_c超导体YBa_2Cu_3O_(7-δ)超微粉料的合成技术

本文简述了YBa_2Cu_3O_(7-δ)超微粉料的合成对于高T_c超导体的应用研究的重要价值,详细地介绍了共沉淀法、硝酸盐溶液干燥法和溶胶——凝胶法等合成YBa_2Cu_3O_(7-δ)超微粉料的技术,并对各种方法进行了比较评价。

硅基ZnO光电导紫外传感器的制备与性能表征

通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于3.17 eV,是ZnO受主缺陷的三阶声子伴线发光峰(FXA-3LO),该峰的出现也说明了ZnO薄膜具有较高的纯度和晶体质量,ZnO薄膜电阻率为160Ω·cm。在此基础上利用光刻剥离技术制备了传感器18对叉指Au电极结构,电极的线宽/线间距为25μm/25μm。样品的实际参数指标与设计指标一致,光电性能指标基本符合要求,对于280~360 nm的中长紫外线具有良好的响应特性,为后续ZnO紫外传感器的性能优化奠定了设计与技术基础。

热成像技术在厚膜混合集成电路热设计中的应用

本文简述了红外热成像技术用于厚膜混合集成电路热设计中的理论与实验方法，并讨论了结果。

InGaAs/GaAs多量子阱近红外光探测结构设计与表征

介绍了用于近红外光探测的InGaAs三元化合物材料体系,并通过数学软件编写求解出InGaAs/GaAs单量子阱有限深势阱的波函数方程。根据计算结果,设计出InGaAs/GaAs多量子阱结构,之后采用分子束外延技术完成了高质量外延片结构的研制,通过双晶X射线衍射等分析手段,推算出多量子阱结构中In的组分,势垒与势阱的厚度等参数与理论设计一致,具有很好的近红外探测器研制价值。

微电路模块板级磁芯组装失效机理与工艺设计

板级磁芯是国防军工及航空航天领域使用的微电路模块的重要组成部分,其组装的可靠性对产品性能起着至关重要的作用。为从根源上解决板级磁芯粘接的可靠性问题,文中通过分析板级磁芯粘接失效机理,创新性地引入可靠的磁芯粘接胶和新的灌封工艺设计,对磁芯粘接胶和灌封工艺进行针对性的探索;并采用含玻珠的新磁芯粘接胶对板级磁芯进行粘接,淘汰真空浸入式灌封而采用新的旋转灌封工艺,形成高可靠的板级磁芯组装工艺技术,彻底地解决板级磁芯粘接面开裂的问题。研究得出:板级磁芯组装失效的根源是磁芯粘接力不足以抵抗环境试验和产品内部的灌封胶应力,采用新型板级磁芯粘接胶、改进灌封方式和磁芯填充工艺是避免板级磁芯组装失效的有效工艺途径。