改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流

为降低硅光电探测器ｐ－ｎ结反向暗电流，可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺ＰＣＤＴ。在实施过程中，作者对吸除工艺、应力补偿工艺等作了改进，进一步降低了反向暗电流。