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ZnO-B_2O_3-SiO_2系统低介陶瓷的烧结工艺研究
被引量:
1
1
作者
庞京涛
郑金标
吴纬
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期25-28,共4页
通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响。结果表明:该陶瓷...
通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响。结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900~1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min.快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=9.001,1MHz)。
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关键词
低介电陶瓷
烧结工艺
ZnO-B2O3-SiO2系统
下载PDF
职称材料
题名
ZnO-B_2O_3-SiO_2系统低介陶瓷的烧结工艺研究
被引量:
1
1
作者
庞京涛
郑金标
吴纬
机构
华东理工大学无机材料学院
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期25-28,共4页
文摘
通过热分析确定基本的的烧结温度制度,并且调整烧结工艺参数使粉料在不同的条件下进行烧结,通过对烧成后的样品的表观性能、介电性能和微观结构的分析,探讨了不同烧结制度对于ZnO-B2O3-SiO2系统的介电性能的影响。结果表明:该陶瓷系统致密化过程主要发生在900~1050℃之间,采用最高烧结温度1050℃,保温时间为60min.快速冷却(-20℃/min)的工艺烧成的陶瓷,致密性好,晶粒分布均匀且粒径大小适中,具有良好的介电性能(εr=4.75,tgσ=9.001,1MHz)。
关键词
低介电陶瓷
烧结工艺
ZnO-B2O3-SiO2系统
Keywords
low dielectric constant ceramic
sintering mode
ZnO-B2O3-SiO2 system
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TU522.19 [建筑科学—建筑技术科学]
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职称材料
题名
作者
出处
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被引量
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1
ZnO-B_2O_3-SiO_2系统低介陶瓷的烧结工艺研究
庞京涛
郑金标
吴纬
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
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