取代基效应对喹啉腈AIE荧光性能的研究

吡喃腈（DCM）类化合物作为传统的荧光染料,其本身具有聚集荧光淬灭（Aggregation caused quenching,ACQ）的现象.通过对吡喃腈母体进行结构修饰,合成了一类具有长波长、聚集诱导发光（Aggregation-induced emission,AIE）的喹啉腈（QM）衍生物,该类化合物在良溶剂中呈现弱荧光,但在聚集态和固态时荧光增强.并进一步研究了取代基效应对这类AIE化合物荧光性能的影响,卤素原子的引入使得聚集态荧光基本保持在561~571 nm之间,但荧光量子效率变化很大,QM-Br的ΦF值最大（13.9%）,QM-F次之（8.7%）,QM-I最小（3.4%）.给电子单元可与QM母体单元形成D-π-A结构,其增强的推拉电子效应延长了聚集态波长,同时能级带隙变窄.取代基效应的研究有助于理解AIE化合物聚集微环境的变化,为进一步发展近红外AIE荧光染料及其生物应用打下良好的基础。