掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究

以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO(SnO2∶F)纳米粉。在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉。应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征。结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率。当r(Sn∶F)为10∶3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm。