BaSnO_3＋BaWO_4复合电子陶瓷研究

本文主要研究了用一次配料合成ＢａＳｎＯ３＋ＢａＷＯ４复合电子陶瓷材料的电学特性．研究表明：该复合材料为ＢａＳｎＯ３与ＢａＷＯ４的机械混合物．掺入适当的玻璃相，可显著提高样品的致密度，收缩率最高约达５０％．同时还研究了Ｓｂ２Ｏ３对该复合材料性能的影响．掺入Ｓｂ２Ｏ３后，材料的主导电相为ＢａＳｎ１－ｘＳｂｘＯ３，该复合材料是一种极有发展前途的固定电阻材料．

磁泡布洛赫线观测系统及图像处理

研究磁泡畴壁微结构──垂直布洛赫线的晃动观测方法；讨论了梯度场、势阱的作用，回复脉冲场对条畴稳定的影响；用数学形貌学方法对磁泡畴结构进行数字图像处理．

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ静态特性的影响明显增大．文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致．

Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究

采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．

Cs原子D_1线在低压惰性气体中的压力增宽

使用频率可扫描的窄线宽半导体激光，通过共振吸收方法获得强磁场下Ｃｓ（６Ｓ_１／２→６Ｐ_１／２）在不同种类和不同压力的惰性气体中的吸收线型。利用Ｖｏｉｇｔ线型公式对不同的实验线型进行拟合，从而求得压力增宽系数。实验表明，在低于１．３３×１０￣４Ｐａ范围内，碰撞增宽与压力成线性关系。

退火对低温射频磁控溅射Ba铁氧体薄膜结构及磁特性的影响

用ＲＦ磁控溅射法在纯Ａｒ气中，在硅基片上不加热，制备了Ｂａ铁氧体薄膜，研究了退火温度对薄膜ｃ轴垂直取向、结构及磁特性的影响，结果表明薄膜在７００℃氧气中退火可获得良好ｃ轴垂直膜面择优取向，该薄膜的饱和磁化强度和矫顽力分别是Ｍｓ＝２９６ｋＡ／ｍ，Ｈｃ＝３１０．４ｈＡ／ｍ。退火温度过低或过高，都不利于形成Ｃ轴垂直膜面的择优取向。

10万象素a-Si TFT有源矩阵的优化技术

本文研究了3英寸372×276象素a—Si TFT有源矩阵的优化设计理论,讨论了材料物理参数和器件结构参数对器件性能的影响,并对其制作工艺进行了系统研究。

非晶硅薄膜晶体管矩阵的计算机辅助测试(英文)

本文提出了一种通过外接电容的耦和电压推算出晶体管特性的矩阵器件测试方法。利用本系统可以对晶体管进行逐个扫描,并推算出缺陷的类型和分布、矩阵板的均匀性及器件特性。同时文中引入了统计分析以确定标准值的范围。

磁旋转编码器多极磁鼓的研制

通过分析磁编码器的原理和结构，采用粘结磁体做磁编码器多极磁鼓记录介质材料，运用一体成型工艺，研制出了多种型号的磁鼓，并对磁鼓进行了充磁和气隙磁性能分析。

一种性能良好的反射镜架

反射镜架很多仪器设备中常用的部件．实际工作中要求反射镜架具有良好的调节性能，以利于仪器光路的安装调试，根据这一要求，本文提出了一种反射镜架结构并采用位移分解法分析了该结构调节机构的性能．理论分析和实际应用表明该镜架在小范围内调节光斑位置时确实具有优良的调节性能，保证了光斑位置两维自由度调节的正交独立性。该镜架对通光孔的遮挡最小，结构简单，成本低廉。可方便地用于很多相应的仪器设备中。

SmTbFeCo磁光记录材料温度特性的平均场理论研究

基于平均场理论，提出重稀土-轻稀土-过渡族（HRE－LRE-TM）非晶薄膜温度特性的计算方法，详细讨论了薄膜成分对薄膜磁学和磁光性能的影响。研究表明，用适量的轻稀土元素替代重稀土元素，室温下饱和磁化强度增大，克尔角有所提高，薄膜的补偿点温度下降，而居里点温度基本保持不变，并区饱和磁化强度和矫顽力随温度变化趋向缓慢，从而可以拓宽磁光介质的使用温度范围。其对重稀土-过渡族非晶薄膜掺入轻稀土元素是否改善磁学和磁大性能作出了满意的解释。

液相外延Co—YIG薄膜的制备及光吸收谱分析

采用液相外延法在钆镓石榴石（ＧＧＧ）基片的（１１１）晶面上生长出了掺Ｃｏ钇铁石榴石薄膜，研究了生长温度和基片转速对掺Ｃｏ量的影响，测量和分析Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜样品在０．５—１．８μｍ波长范围的光吸收谱，发现Ｃｏ－ＹＩＧ薄膜中八面体位和四面体位的Ｃｏ３十离子在０．６μｍ和１．３１μｍ波长处的晶场跃迁对光吸收有贡献．

真空溅射镀膜机衬底加热装置的设计

真空溅射镀膜设备中加热装置在镀膜时常出现打火现象，本文采用金属屏蔽和外壳接地的方法很好地解决了这一问题。

三层磁性耦合膜的磁化过程

从理论上计算了三层磁性耦合的磁化过程。假定每层膜具有单轴各向异性，且易轴方向垂直于膜面，各层磁化曲线都为矩形。第一层与第三层组成成份和膜厚完全相同。我们得到了各种各样磁化过程及其条件。尤其指出了得到矩形磁化过程条件。磁光记录需要矩形磁化过程，为进一步多层膜磁光记录研究提供了依据。