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题名变间隙F-P干涉仪的形变对光谱结果的影响分析
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作者
王红勇
岳松
赖建军
胡栋
马浩然
宫文峰
阙俊
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机构
华中光电技术研究所一武汉光电国家研究中心
华中科技大学一武汉光电国家研究中心
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出处
《光学与光电技术》
2024年第3期16-22,共7页
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文摘
传统的傅里叶红外光谱成像设备(FTIR)所用的干涉仪体积较大,变间隙法布里-珀罗干涉仪(F-P干涉仪)以其小体积紧凑型的优点解决了传统FTIR设备的小型化问题。但由于变间隙F-P干涉仪内部光学镜片在安装时需要将镜片紧密贴合在一起,其紧固力可能对镜片局部施加力使得镜片产生形变,从而影响所得到的光谱数据的精确度。以某型基于变间隙F-P干涉仪的红外成像光谱设备为例,通过Zygo激光干涉仪测量F-P干涉仪镜片在紧固后的受力形变,建立干涉仪形变仿真模型。通过仿真模型分析,明确了F-P干涉仪的形变会导致光谱响应强度和波长准确度的下降,为后续对F-P腔的结构优化设计指明了方向。
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关键词
光谱
红外
干涉仪
F-P腔
光学形变
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Keywords
spectroscopy
infrared
interferometry
F-P cavities
optical deformation
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分类号
TP391
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名高速薄膜铌酸锂相位调制器设计及制备
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作者
胡文良
尚成林
潘安
齐志强
王晨晟
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机构
华中科技大学一武汉光电国家研究中心
华中光电技术研究所一武汉光电国家研究中心
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出处
《光学与光电技术》
2024年第3期97-102,共6页
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文摘
针对微波光子系统对片上高速调制器件的使用需求,基于铌酸锂材料的线性电光效应,研究通过开展片上器件的光电联合仿真设计,利用与CMOS工艺相兼容的半导体器件制备方法,将低损耗铌酸锂波导、高效耦合模斑转换器、高频微波信号传输线等片上光电器件集成在绝缘体上的铌酸锂(LNOI)晶圆上,实现调制器芯片的片上集成化;采用微光学耦合工艺实现芯片实现光纤阵列的光信号输入输出;采用引线键合方式实现芯片-薄膜电阻-射频接头的阻抗匹配和电信号低损传输;最后采用平行封焊完成芯片-光纤-管壳的气密性封装,以提高调制器的可靠性和环境适应性。测试得到器件光功率插损<6.5 dB,调制带宽>15 G(@3 dB),动态半波电压<6 V(@10 GHz),满足光电振荡器等相关微波光子器件的应用需求。
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关键词
薄膜铌酸锂
相位调制器
微波光子
片上集成
光电振荡器
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Keywords
LNOI
phase modulator
microwave photonic
on-chip integrated
optoelectronic oscillator
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分类号
TN761
[电子电信—电路与系统]
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