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Mg掺杂对ZnO基体声波谐振器性能的影响
1
作者
桂丹
郑丹
何琼
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2020年第9期23-26,共4页
文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时,器件在20~100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯...
文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时,器件在20~100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯ZnO基薄膜体声波谐振器的温度频率系数值-69.5 ppm/℃下降了很多。
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关键词
薄膜体声波谐振器
温度频率系数
传感器
机电耦合系数
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职称材料
题名
Mg掺杂对ZnO基体声波谐振器性能的影响
1
作者
桂丹
郑丹
何琼
机构
武汉软件工程职业学院
电子
工程学院
华中科技大学电子科学与技术专业
湖北
大学
物电学院
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2020年第9期23-26,共4页
文摘
文中利用Mg掺杂ZnO压电膜制备了薄膜体声波谐振器,在较低浓度Mg掺杂时,器件机电耦合系数有微弱增大;当掺杂浓度过高时,机电耦合系数呈下降趋势。当掺杂Mg元素质量分数为2.23%时,器件在20~100℃内的温度频率系数为-26.0 ppm/℃,比之前纯ZnO基薄膜体声波谐振器的温度频率系数值-69.5 ppm/℃下降了很多。
关键词
薄膜体声波谐振器
温度频率系数
传感器
机电耦合系数
Keywords
thin film bulk acoustic resonator
temperature coefficient of frequency
sensor
electromechanical coupling factor
分类号
TN44 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Mg掺杂对ZnO基体声波谐振器性能的影响
桂丹
郑丹
何琼
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2020
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