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高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件 被引量:1
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作者 周东祥 余石金 +2 位作者 胡云香 龚树萍 郑志平 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1-4,13,共5页
TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料... TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向。 展开更多
关键词 TIBr 晶体生长 高能辐射 室温探测器
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