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高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件
被引量:
1
1
作者
周东祥
余石金
+2 位作者
胡云香
龚树萍
郑志平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1-4,13,共5页
TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料...
TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向。
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关键词
TIBr
晶体生长
高能辐射
室温探测器
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职称材料
题名
高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件
被引量:
1
1
作者
周东祥
余石金
胡云香
龚树萍
郑志平
机构
华中科技大学电子科学技术系教育部敏感陶瓷工程研究中心
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第8期1-4,13,共5页
基金
国家自然科学基金(60676050)
文摘
TlBr单晶材料具有探测器高的阻止本领、宽禁带、高电阻率、高密度、能量吸收深度较小等特点,是目前理想的高能X和γ射线探测用半导体材料之一。介绍了TlBr单晶材料、TlBr探测器的基本原理以及TlBr单晶及器件的研究现状,概括了TlBr原料提纯和晶体生长的主要方法及其特点,同时总结归纳出TlBr晶体生长和器件制备方面所存在的高质量材料制备问题、电极接触问题、器件结构设计问题和载流子收集问题,以及将来TlBr探测器领域的热点研究方向。
关键词
TIBr
晶体生长
高能辐射
室温探测器
Keywords
TlBr, crystal growth, high-energy radiation, room temperature detectors
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高能辐射室温探测器用TlBr单晶及其器件
周东祥
余石金
胡云香
龚树萍
郑志平
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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职称材料
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