非线性Tavis-Cummings模型的Pancharatnam相(英文)

对处于相干态光场的非线性Tavis-Cummings模型中Pancharatnam相进行了理论上和数值上的研究,并获得了这个量子系统中Pancharatnam相的精确表达式.分析表明:两原子之间的偶极相互作用强度能改变Pancharatnam相演化的周期,并证明了Pancharatnam相包含原子和场的信息,同时,非线性的出现会导致Pancharatnam相的演化出现混沌行为.

基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计

设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计，该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而产生交变信号。经过对信号的处理，单片机进行计数，可以得到瞬时流量和累积流量。本流量计采用西6mm管径设计，实验中采用自来水作为被测液体，每脉冲代表液体流量为0．8776mL，其有效测量量程为0．05—0．5m^3／h，测量误差在±0．4％左右，能满足低流速测量工业现场的使用要求，并能降低制造成本。

基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计

介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作，当转动的涡轮叶片靠近InSb—In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化，进而产生交变信号。经过对信号的处理，最后送入单片机进行计数，当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时，通过单片机输出高电平，起到报警的目的。本流量开关是基于四分管设计，其监测的流量范围为1．5～8．4L／min。

温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻

研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。

基于InSb-In磁敏电阻器的双限温度开关的设计

介绍一种用InSb—In共晶体薄膜磁敏电阻器（MR）制成的双限温度开关的温控机理和特性。实验表明：由InSb—In磁敏电阻器和信号处理电路两部分组成的温度开关，具有灵敏度高、控温范围宽的优点，在低温区，其灵敏度可以高达30mV／℃以上，常温下也可达到23mV／℃左右；其上下限温度调整范围为-40～120℃，测温精度可达到±0．1℃。

一种新型材料的温度控制器的设计

本文设计一种用锑化铟-铟—铟(InSb-In)共晶体薄膜磁敏电阻(MR)制成的双限温控器。实验表明,用InSb-In磁敏电阻作感温磁头设计的此温控器,具有灵敏度高,控温范围宽的优点,实验证明在低温区其灵敏度可以高达30mV/℃以上,常温下也可达到23mV/℃左右;其上下限温度调整范围可以从-40℃到+120℃之间;测温精度可达到±0.1℃。;另外它还具有性能稳定和对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。