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AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用
被引量:
3
1
作者
刘鲁
范广涵
+3 位作者
廖常俊
曹明德
陈贵楚
陈练辉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期1264-1271,共8页
引入渐变理论 ,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型 ,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况 .分析不同掺杂浓度下 ,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响 .讨论了渐变方式引入高亮度发光二极...
引入渐变理论 ,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型 ,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况 .分析不同掺杂浓度下 ,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响 .讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管 (HB LED)
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关键词
ALGAINP
镓铝铟磷四元系材料
渐变异质结
高亮度发光二极管
HB-LED
半导体材料
发光效率
原文传递
题名
AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用
被引量:
3
1
作者
刘鲁
范广涵
廖常俊
曹明德
陈贵楚
陈练辉
机构
华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室
华南师范大学
信息
光电子
科技
学院
量子
电子
研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第5期1264-1271,共8页
基金
广州市科技重点计划项目 (批准号 :1999 z 0 35 0 1)资助的课题~~
文摘
引入渐变理论 ,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型 ,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况 .分析不同掺杂浓度下 ,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响 .讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管 (HB LED)
关键词
ALGAINP
镓铝铟磷四元系材料
渐变异质结
高亮度发光二极管
HB-LED
半导体材料
发光效率
Keywords
AlGaInP
heterojunction
graded
LED
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用
刘鲁
范广涵
廖常俊
曹明德
陈贵楚
陈练辉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
原文传递
已选择
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参考文献
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