锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究

介绍了锑化铟磁阻型光电传感器的结构及工作原理,并对锑化铟磁阻型光电传感器的输出特性进行了研究;随着间隙由0 mm 增至5 mm,放大后的光电传感器输出电压峰峰值由3 v多急剧下降至500 mV以下;若使输入光脉冲电压的频率保持50 Hz 不变,改变红外发光二极管输入光脉冲电压(变化范围 V_(PP)为3.8～5.0 V),测量磁阻型光电传感器输出电压峰值 V_(PP)随输入光脉冲电压的增加按指数规律增加;磁阻型光电传感器的中心频率为50 Hz,通频带为46～55 Hz,即通频带宽度为9 Hz,可得其品质因数 Q 为5.56。