SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 - 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 - 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.

用于锂离子电池的多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料的合成、表征及电化学性能(英文)

利用PVA碳源包覆、HF酸刻蚀和沥青二次包覆方法制备多孔珊瑚状硅/碳复合负极材料,得到沥青含量分别为30%、40%和50%(质量分数)的3种硅/碳复合材料样品。采用XRD和SEM分别对复合材料的组成和形貌进行表征,并采用电化学测试手段对其性能进行测试。结果表明,经二次沥青包覆后,复合材料的电化学性能得到明显提高。当二次包覆的沥青含量为40%时,在100 m A/g的电流密度下,该样品第二次充放电循环的放电容量达到773 m A·h/g,经60次循环后,放电容量仍然保持在669 m A·h/g,其容量损失率仅为0.23%/cycle。因此,调整二次包覆碳含量可明显改善复合材料的循环稳定性。

表面等离激元的操控：原理与研究进展

近年来表面等离激元在物理学、生物学等领域的应用有非常显著的进展,针对表面等离激元在集成光路发展中的应用,重点介绍其传输、增益及传输损耗补偿、开关与调制等操控的原理与特性方面的最新研究进展.

In、Ga掺杂SnO2的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了本征SnO_2、SnO_2∶In、SnO_2∶Ga和SnO_2∶(In,Ga)超晶胞模型并进行了几何结构优化,对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算.结果显示,与SnO_2∶In和SnO_2∶Ga相比,SnO_2∶(In,Ga)的晶格常数更接近于本征SnO_2,可有效降低SnO_2材料掺杂体系的晶格畸变.SnO_2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值,且能带结构向高能方向移动,材料呈现典型的p型半导体特性.SnO_2∶(In,Ga)中,In与Ga掺杂原子和O原子的电子云呈现出共价键特性.光学性能表明,SnO_2∶(In,Ga)晶体中,光子能量在0~2.45 e V和大于6.27 e V的范围内表现出良好的介电性能,在微型微电子传感器机械系统器件和高密度信息存储等方面具有良好的应用前景.SnO_2∶(In,Ga)在可见光范围内具有10~5cm^(-1)数量级的吸收系数,能够强烈地吸收光能,在光电器件的吸收材料中具有潜在的应用前景.

基于荧光玻璃的高效LED白光技术

采用高温熔融法制备了一定质量比例的SiO_2-YAG∶Ce^(3+)片状荧光玻璃,厚度为0.2 mm,分析其XRD物相、光学和SEM微观结构、PL光谱。结果表明:荧光玻璃保留了晶相,荧光粉颗粒在玻璃基质中均匀分布,荧光玻璃和荧光粉的激发响应关系一致。在465 nm蓝光激发下,发射波长均在535 nm附近,表明荧光玻璃除含有玻璃相,还有荧光粉的物质结构特性。将不同波长蓝光芯片与不同荧光粉含量的荧光玻璃进行封装测试,结果表明:器件的流明效率可达到234.81 lm/W;色温和显色指数均随荧光粉含量增加而单调下降,呈现高色温和低显色指数;荧光粉质量分数从6%增加至15%时,不同波长激发下的色坐标x与y呈现大致相同的线性变化率。采用450 nm激光激发荧光玻璃,测试样品温度变化发现温升较缓,温降迅速,耐热性能优越。实验结果表明,将荧光玻璃用于LED白光照明封装,能实现流明效率和耐热性能的大幅提升,形成良好的白光输出。

核磁共振对一种聚酰胺酰亚胺构造的测定

以偏苯三酸酐和4,4,-二异氰酸酯二苯甲烷为主要原料,采用溶液缩聚法合成了一种聚酰胺酰亚胺树脂;通过衰减全反射傅里叶变换红外光谱和核磁共振波谱表征了该型树脂的构造,二维核磁共振的关联分析结果表明该型聚酰胺酰亚胺主链具有构造对称性,并且活性端基异氰酸酯被苯甲醇和苯酚封闭,合成的树脂为含有2种潜在活性氨基酯结构的聚合物。

GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析

GaN基高压直流发光二极管工艺制备,采用蓝宝石图形衬底(PSS)外延片制备正梯形芯粒结构的GaN基高压直流LED.相对其他结构器件,该结构器件发光效率最高,封装白光后,在色温4500 K,驱动电流20 mA时,光效116.06 lm/W,对应电压50 V.测试其I-V曲线表明,开启电压为36 V,对应驱动电流为1.5 mA;在电流15 mA至50 mA时,光功率随驱动电流增加近似于线性增加,在此区域光效随电流增加而降低的幅度比较缓慢,表明GaN基高压直流LED适宜于采用大电流密度驱动,而不会出现驱动电流密度增加导致量子效率明显下降(efficiencydroop),为从芯片层面研究解决量子效率下降难题提供了一种新思路.