共价键结合的石墨烯和碳纳米管三维复合材料的载流子迁移率研究

应用密度泛函理论对共价键结合的多孔石墨烯和单壁碳纳米管三维复合材料进行结构优化和能带计算,确定石墨烯和碳纳米管以共价键的形式结合.基于第一性原理计算出石墨烯二维平面上的弹性常数和形变势常数,得到石墨烯电子和空穴迁移率约为104cm2/(V·s),比完整的单层石墨烯低1个数量级.该模型可以扩展到共价键结合的碳元素三维空间结构,在未来的有机电子学领域具有广阔的发展前景.

多孔AAO模板合成低维有序纳米结构阵列研究进展

多孔阳极氧化铝模板具有好的有序性、成本低、耐高温、大面积可控、孔洞分布均匀及大小可控等优点,它是合成高度有序纳米材料的理想模板.文章综述了阳极氧化铝模板的制备,并以此为模板采用常规方法,如脉冲激光沉积技术、离子束刻蚀、金属辅助化学蚀刻技术、化学气相沉积技术、溶胶-凝胶法等制备低维垂直有序纳米阵列的最新研究进展,指出了其目前存在的问题.

固体氧化物燃料电池用ScSZ粉体的研究进展

介绍了固体氧化物燃料电池(SOFC)的工作原理和特点,综述了钪稳定氧化锆(ScSZ)粉体的电解质机理、制备方法较全面地对ScSZ粉体的研究进展进行了论述。

固体氧化物燃料电池用ScSZ粉体的研究

介绍了固体氧化物燃料电池(SOFC)的工作原理和特点,综述了钪稳定氧化锆(ScSZ)粉体的电解质机理、制备方法和研究进展,对ScSZ粉体的发展进行了展望。

钙钛矿相界面插层对SrFeO_(x)基忆阻器的性能提升

SrFeO_(x)(SFO)是一种能在SrFeO_(2.5)钙铁石(BM)相和SrFeO_(3)钙钛矿(PV)相之间发生可逆拓扑相变的材料.这种相变能显著改变电导却维持晶格框架不变,使SFO成为一种可靠的阻变材料.目前大部分SFO基忆阻器使用单层BM-SFO作为阻变功能层,这种器件一般表现出突变型阻变行为,因而其应用被局限于两态存储.对于神经形态计算等应用,单层BM-SFO忆阻器存在阻态数少、阻值波动大等问题.为解决这些问题,本研究设计出BM-SFO/PV-SFO双层忆阻器,其中PV-SFO层为富氧界面插层,可在导电细丝形成过程中提供大量氧离子并在断裂过程中回收氧离子,使导电细丝的几何尺寸(如直径)在更大范围内可调,从而获得更多、更连续且稳定的阻态,可用于模拟长时程增强和抑制等突触行为.基于该器件仿真构建了全连接神经网络(ANN),在手写体数字光学识别(ORHD)数据集进行在线训练后获得了86.3%的识别准确率,相比于单层忆阻器基ANN的准确率提升69.3%.本研究为SFO基忆阻器性能调控提供了一种新方法,并展示了它们作为人工突触器件在神经形态计算方面的应用潜力.

“针尖下的实验室”——扫描探针探测与调控铁电畴及其微观物性

铁电和多铁材料作为未来高性能信息媒介引起广泛关注.其中铁电畴的形态及演化特征可显著影响材料电导、光伏、磁电耦合等诸多物理性能以及器件功能,尤其是新奇拓扑畴带来诸多新颖物性,使得通过畴调控方法设计材料及器件性能成为可能.深入理解铁电畴及其微观物性调控规律有望为后摩尔时代信息技术带来新的器件设计方案.本文主要介绍通过多功能扫描探针显微镜研究铁电和多铁材料的微观畴结构和相关物理性能,及其调控规律和机制,并在此基础上构筑新原理信息器件.

超薄AAO模板法辅助生长高密度有序金纳米点阵列

在高真空状态下采用孔径为40 nm的超薄阳极氧化铝(AAO)模板作为掩膜进行金的热蒸镀,制备了平均粒径为35.5 nm、填充密度为1.45×1010cm-2的金纳米点阵列.探索了高密度有序纳米点阵列的制备工艺.通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对金纳米点阵列进行表面形貌表征,证明超薄AAO模板法明显改善了金纳米点阵列分布的尺寸均匀度和有序度.

高密度有序银纳米球阵列的模板辅助退火制备

纳米结构的有序性对表面拉曼增强光谱(SERS)的均匀性起决定性作用,然而如何大面积制备有序的超高密度贵金属纳米结构依旧是个挑战.文中提出了一种通过模板辅助退火方法,用于大面积制备结构可控、高密度有序的银纳米球阵列,研究了退火温度、压强和银膜厚度对银纳米球阵列形貌结构的影响.制备的高密度有序银纳米球阵列可以进一步应用于SRES基底.

让拓扑相变存储数据

人工基元 我欲重生数万年,从头突触作基元。金丝通断人工脑,阻变神经与梦欢。Ⅰ.引子自从在地球上称王称霸之后,人类一向将自己定义为有思想的高等动物,无有他类,以显示高高在上、区别于一般动物种群。从古到今,这一定义从未受到严峻挑战。也因此,人类在大致理解了人的大脑到底如何实现思维和思想之后,并没有花费很大力气去学习和制造大脑。当然这种理解、这种制造的确也极为困难,非三纲五常所能成事。