一种检测弱电流的半导体磁阻式电流传感器

为了检测微弱电流 ,设计了一种适用于信号处理电路的InSb -In共晶体磁阻元件 (MR)制成的半导体薄膜磁阻型电流传感器 (MRCS)。此种电流传感器是用同时改变两个InSb -In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的的 ,它取消了大容量的耦合电容 ,可缩小体积和改善频率特性。经计算选择特定的电路参数 ,使得电路输出信号与引起磁阻改变的微弱电流产生的磁场成正比关系 ,从而实现了微弱电流信号的检测。通过实验研究了此种电流传感器的工作特性 ,其通频带为 7～ 180 0Hz ,被检测的弱电流信号可低至 10mA ,并且温漂得到良好的抑制 。

基于电力线载波技术的远程电流数据采集系统的设计

介绍了一种利用半导体磁阻式电流传感器(MRCS)和LM1893芯片实现的远程电流数据采集系统。系统硬件主要由AT89C2051单片机主控电路、串行ADC0832模/数转换电路、LM1893电力线载波发送电路等三部分组成;软件以MCS-51汇编语言编制,并给出了软件设计的流程图。由于采用了电力线载波技术,该系统可用于远距离信号的测量和传输,具有较高的实用价值。

InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器

介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。

一种远程电流数据采集系统的设计

为了解决电流数据采集系统中的远程传输问题,提出了一种利用半导体磁阻式电流传感器(MRCS)和电力载波芯片LM1893实现的设计;系统硬件主要由AT89C2051单片机主控单元、数据采集单元、LM1893电力载波发送单元等三部分组成;系统软件以MCS-51汇编语言编制,并给出了软件设计的流程图;由于采用了电力线载波技术,该系统适用于远距离信号的测量和传输,具有较高的实用价值。

InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性

通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线 ,它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In ,还有 (2 2 0 )、(311)、(40 0 )、(5 11)晶面的InSb和 (0 0 2 )、(10 3)、(110 )、(112 )、(2 0 0 )、(2 11)、(2 13)晶面的In ,它们构成InSb -In共晶体。

验钞用半导体磁头信号处理电路的特性

研究了验钞用半导体锑化铟 (InSb)磁头的信号处理电路的噪声、电压特性和频率特性。结果表明 :为得到满意的信噪比 ,磁头的工作电压应大于 4V ;磁头输出的信号电压在 2 .4 97～2 5 0 3V范围内 ,电路的放大倍数保持不变 ;并找到半导体磁头的动态特性随工作频率升高而变差的一个重要原因。

磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器

发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ,对脉冲变化的红外光的照射 ,它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ,K2 =1 .0 2 (B=0 .3 T)的两个磁阻元件 ,在 B=0 .1 5～ 0 .2 T偏磁系统中 ,用峰值波长 λp=940 nm的红外光脉冲照射 ,可使输出电压比没有偏磁时增大 3倍以上 ,输出信号电压 (S)与本底噪声电压 (N)之比为 2 5∶ 1 (S/N=2 8db)。

新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计

介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成,可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面,并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理,应用中可提高检测信号的准确性。经实测,在机械振动的中低频率检测范围内,传感器的有效频带不窄于4～760Hz,其通频带内信噪比为30～32dB,经换算得灵敏度为16mV/gn。同时,得到传感器振动强度大小与磁敏电阻器输出信号关系曲线。

孤子激光器的效率

有必要为评定孤子激光器引进一个质量指标:孤子效率。因此,孤子激光器总体效率的计算也应作相应的变化。高效率的孤子激光器所产生的高质量光孤子能为长途光通信准备良好的初条件。为此讨论了三种提高孤子效率的途径。

扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器

把锑化铟－铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中，用红光脉冲照射，可以使它的输出信号增强。把灵敏度为 Ｋ１－３ ５，Ｋ２＝１．０ ２（Ｂ＝０．３ Ｔ）的两个磁阻元件，置于 Ｂ＝０．２Ｔ偏磁系统中，用峰值波长λｐ＝６６０ｎｍ的红光照射，发现输出电压Ｖｏｕｔ比没有偏磁场存在时增大３．１倍。

开展孤子激光与孤子光通信研究的建议

本文对国际上孤子激光和孤子光通信的发展作了简要回顾,介绍了我国对这一课题的开创性工作和今后的设想。

孤子激光器及其发展

激光和孤子研究的进展,导致一种新型的、输出脉宽及形状可控的超短光脉冲激光器——孤子激光器的诞生。孤子激光器在光通讯、光计算、超高速现象的研究、超高速光电子器件的研制等方面有其独特的应用。它也使我们有可能对孤子效应本身进行深入研究。本文将叙述在单模光纤中形成孤子的机制,孤子激光及喇曼孤子激光原理,孤子及孤子激光研究的进展,包括孤子激光的稳定性、孤子自频移以及孤子间的相互作用力等。最后介绍一些已经出现的或将来可能出现的应用,并指出这是一个正在迅速发展的研究领域。