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金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用
被引量:
12
1
作者
曹镛
陶洪
+4 位作者
邹建华
徐苗
兰林锋
王磊
彭俊彪
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1-11,共11页
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响M...
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.研发团队开发的MOTFT的迁移率最高可达21.6cm2/(V.s),阈值电压为1.63V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.216 V/decade.基于该MOTFT驱动面板,在国内率先实现了5英寸彩色AMOLED显示屏.该MOTFT驱动面板具有迁移率高、制作工艺简单、成本较低以及容易实现大面积等优势,在LCD和AMOLED等新型显示领域具有广泛的应用前景.
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关键词
氧化物半导体
薄膜晶体管
AMOLED
新型显示
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职称材料
题名
金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用
被引量:
12
1
作者
曹镛
陶洪
邹建华
徐苗
兰林锋
王磊
彭俊彪
机构
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室∥高分子光电材料与器件研究所
出处
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第10期1-11,共11页
基金
广东省教育部产学研结合项目(2011A090200109)
华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2012ZM0003)
+1 种基金
中国博士后科学基金面上资助项目(2011M500131)
广东省优秀博士学位论文作者资助项目(SYBZZXM201113)
文摘
为适应高分辨率、大尺寸的液晶(LCD)和有源有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,开发了一种新型的基于金属氧化物有源半导体材料的薄膜晶体管(MOTFT)驱动面板.文中阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.研发团队开发的MOTFT的迁移率最高可达21.6cm2/(V.s),阈值电压为1.63V,开关比为109,亚阈值摆幅为0.216 V/decade.基于该MOTFT驱动面板,在国内率先实现了5英寸彩色AMOLED显示屏.该MOTFT驱动面板具有迁移率高、制作工艺简单、成本较低以及容易实现大面积等优势,在LCD和AMOLED等新型显示领域具有广泛的应用前景.
关键词
氧化物半导体
薄膜晶体管
AMOLED
新型显示
Keywords
oxide semiconductor
thin film transistors
AMOLED
novel display
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
金属氧化物薄膜晶体管及其在新型显示中的应用
曹镛
陶洪
邹建华
徐苗
兰林锋
王磊
彭俊彪
《华南理工大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
12
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职称材料
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