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现代MOCVD技术的发展与展望
被引量:
23
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作者
文尚胜
廖常俊
+3 位作者
范广涵
刘颂豪
邓云龙
张国东
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1999年第3期99-107,共9页
MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术-
关键词
MOCVD技术
有机金属化合物
气相外延
衬底
下载PDF
职称材料
高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
被引量:
5
2
作者
文尚胜
范广涵
+1 位作者
廖常俊
刘颂豪
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2000年第2期13-16,共4页
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。
关键词
INGAALP
高亮度发光二级管
双异质结
LED
下载PDF
职称材料
题名
现代MOCVD技术的发展与展望
被引量:
23
1
作者
文尚胜
廖常俊
范广涵
刘颂豪
邓云龙
张国东
机构
华南
师范
大学
量子电子学研究所
华南理工大学应用物理学系广州
出处
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1999年第3期99-107,共9页
文摘
MOCVD是一门制造化合物半导体器件的关键技术- 本文综合分析了现代MOCVD 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展- 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘MOCVD技术-
关键词
MOCVD技术
有机金属化合物
气相外延
衬底
Keywords
MOCVD technology
organic metal compound
vapor epitaxy
substrate
分类号
TN304.05 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
被引量:
5
2
作者
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
机构
华南
师范
大学
量子电子研究所
华南理工大学应用物理学系广州
出处
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2000年第2期13-16,共4页
基金
广州市科委重大科技攻关项目![(JB0 2 ) 1999- Z- 0 35 - 0 1) ]
文摘
InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。
关键词
INGAALP
高亮度发光二级管
双异质结
LED
Keywords
InGaAlP, HB-LED, double heterojunction.
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
现代MOCVD技术的发展与展望
文尚胜
廖常俊
范广涵
刘颂豪
邓云龙
张国东
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1999
23
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职称材料
2
高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究
文尚胜
范广涵
廖常俊
刘颂豪
《华南师范大学学报(自然科学版)》
CAS
2000
5
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职称材料
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