OLED点阵驱动电路设计及OLED驱动特性研究

设计了一种方便测试OLED显示屏特性的驱动电路。用此驱动电路研究了与驱动方式相关的OLED显示屏特性即“串扰”、老化、击穿等,观测到与OLED“形成过程”相对应的“恢复过程”。实验结果表明,通过对驱动电路采取适当的措施,能够减轻“串扰”和击穿对显示屏造成的影响,并延长显示屏的使用寿命。

MATLAB在TFT-LCD屏显示MURA缺陷检测的应用

提出一种以MATLAB为主要工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案,该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为数字图像分析工具实现对屏幕缺陷的检测。介绍了该方案的硬件组成和检测原理,给出了MATLAB算法流程和部分代码、介绍了GUI检测界面的设计和详细的检测步骤及结果,为TFT-LCD液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。

SOI MOSFET器件X射线总剂量效应研究

研究了以10keV X射线为辐照源对注氧隔离(SIMOX)SOI MOSFET器件进行辐照的总剂量效应。采用ARACOR 10keV X射线对埋氧层加固样品与未加固的对比样品在开态和传输门态两种辐照偏置下进行辐照,分析了器件的特性曲线,并计算了SOI MOS器件前栅与寄生背栅晶体管辐照前后的阈值电压的漂移。实验结果表明,加固样品的抗辐射性能优越,且不同的辐照偏置对SOI MOSFET器件的辐照效应产生不同的影响。

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象。实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件。

先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响

器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。

MOS器件的X射线辐照效应

研究了在10 keV X射线辐照情况下,MOS器件的阈值电压随总剂量和剂量率的改变而变化的趋势。实验结果表明,辐照后,与用Co60作为辐射源辐照所做实验结果明显不同的是,NMOS器件的阈值电压漂移幅度远大于PMOS器件的漂移幅度。文中对这种现象进行了讨论。

IP设计仿真平台控制软件开发及IP验证

在简要介绍基于PCI总线的IP(Intellectual Property)设计仿真验证平台的基本框架和硬件结构的基础上,论述了在W indows 2000/XP下开发该平台的WDM(W indowsDriverModel)设备驱动程序和应用程序的基本方法,对其中的关键技术,如配置寄存器、内存和I/O读写、应用程序编写等作了分析,并以可编程直接存储器存取(PDMA)和图像二值化为IP验证实例.结果表明:所开发的仿真验证平台大大地提高了IP的仿真效率,优于现今测试时难以产生大批测试数据和难以获得数据处理结果的一般仿真验证平台.

基于TMS320VC5509实现MP3解码

介绍了利用数字信号处理芯片TMS320VC5509实现MP3解码的方案。讨论了MP3霍夫曼解码方法,并利用DSP的C语言在TMS320VC5509上实现了该算法。利用CCS的Profile功能对运算复杂度进行了估算,结果显示TMS320VC5509完全能够达到该解码算法的计算量要求,并能够实现实时解码。

基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM驱动程序设计

该文介绍了在Windows2000/XP下,开发基于PCI总线的IP仿真验证平台的WDM设备驱动程序和应用程序的基本方法,以DCT/IDCT(逆离散余弦变换)的IP为例给出平台的实际应用。并指出广泛使用的开发工具DriverStu-dio2.7的一些严重漏洞。

一种通用SPI总线接口的FPGA设计与实现

SPI串行总线是一种常用的标准接口,其使用简单方便而且占用系统资源少,应用相当广泛。本文将介绍一种新的通用的SPI总线的FPGA实现方法。

ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模

基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性。通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性。

射频系统的系统级封装

论述了高速数据处理和高密度封装技术的特点及对射频系统封装的特殊要求,介绍了射频系统 封装的基本技术和一种包含LNA、PPA、滤波器及天线开关的射频系统级封装模块。概述了射频系统级封 装的设计、仿真和测试的方法和步骤。

深亚微米CMOS器件建模与BSIM模型

介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响。

从PCI接口的综合验证方法

当今流行的先进的验证技术有很多,本文综合使用了OVL(OpenVerificationLibrary)断言验证、总线功能模型BFM(BusFunctionModule)层次化验证和FPGA(FieldProgrammableGateArray)硬件加速仿真这三种验证技术,搭建一个从PCI(PeripheralComponentInterconnect)接口的验证环境.实验表明,该验证环境增强了验证的可重用性、可控性,极大地减少了仿真的工作量,提高了验证的效率.

多晶硅薄膜晶体管的电流和电容分析模型(英文)

提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面势随端电压的变化,从而大大地提高了上述模型的计算效率.基于表面势的解析计算和薄层电荷方法,提出了包括小尺寸效应和翘曲效应的电流电压模型.同时,文中还提出了基于电荷的电容模型.电流和电容模型在线性区和饱和区都是连续和准确的,不需要没有物理意义的光滑处理.与实验数据的比较发现,模型和实验数据符合得较好,这也证明了所提出模型的准确性.并且,该模型适用于电路仿真器.

基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文)

本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。

动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响

辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关。本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响。实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少。

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型

显式地推导多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon thin-film transistors,poly-SiTFT)表面势隐含方程的近似解,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度非常高,与数值迭代结果比较,绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势,建立了一个poly-SiTFT栅电容模型,该电容电压模型能连续、准确地描述poly-SiTFT在线性区和饱和区的动态特性,同时该模型考虑了kink效应、沟道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测poly-SiTFT的栅电容特性。

液晶屏显示缺陷自动检测系统的设计

文章介绍了机器视觉的基本研究内容、TFT-LCD(Thin film transistor liquid crystal display)的显示缺陷种类和检测方法,提出了一种以机器视觉为原理、以MATLAB和VC++混合编程为工具的TFT-LCD屏显示缺陷检测方案。该方案根据CMOS工业摄像机采集到的数字图像,结合二维图像拟合技术和以韦伯定律为原理的自动阈值获取技术,使用MATLAB作为核心算法工具,使用VC++为可视化界面的编程工具。文章给出了该方案的硬件组成和检测原理、MATLAB算法流程和详细的检测步骤及结果,为液晶屏显示缺陷的检测提供了一种快速有效的方法。

基于ARM926EJ-S的MPEG-4软解码器的优化与实现

MPEG-4解码器的软件实现是嵌入式应用领域的热门研究课题。但是由于MPEG-4解码系统庞大的数据处理量和嵌入式微处理器处理能力不高的矛盾致使软解码的速度非常低。对此,根据MPEG-4软解码系统的特性及当前嵌入式领域主流微处理器ARM核的特点,研究了一种基于ARM9微处理器上实现MPEG-4软解码的算法优化方法和实现方案。详细介绍了优化的三个方面,包括软件结构优化;对数据处理较多模块编写ARM汇编函数替换;对关键模块寻找快速算法和并行处理算法等。实验结果表明优化后的算法在ARM9微处理器平台上对QVGA格式的MPEG-4码流播放速度由优化前的10 f/s提高到了37 f/s,完全实现了流畅播放,具备很高的实用价值。