有机电致发光材料研究进展

本文综述了有机电致发光材料的研究进展 ,重点介绍了聚合物电致发光材料的研究 。

双层绝缘层材料的有机薄膜晶体管的制备及其结构性能研究

研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEM-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比和较高的迁移率,器件的场迁移率为2.0×10-2cm2/Vs,开关电流比超过103,比绝缘层为单层Ta2O5的晶体管器件的迁移率高了4倍,开关电流比高了一个数量级。

聚芴类发光材料合成中间体的质谱分析

利用电喷雾电离(ESI)质谱 -质谱 (MS -MS)技术 ,分析了新化合物2,7_双 (4,4,5,5_四甲基_1,3,2二氧杂硼烷_2_基 )_9,9_二辛基芴的EI和ESI的质谱 ,确认了该谱图中母离子和子离子的关系 ,讨论了其碎裂途径 。

芴基荧光聚合物材料合成中间体的质谱分析

本文报导了新化合物 2 ,7-双 ( 4,4 ,5 ,5 -四甲基 -1 ,3 ,2二氧杂硼烷 -二基 ) -9,9-二辛基芴的 EI和 ESI的质谱 ,利用质谱 -质谱 ( MS/ MS)分析 ,确认了该谱图中母离子和子离子的关系 ,讨论了其碎裂途径 。

含苯并硒二唑聚咔唑/芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与性能研究

采用Suzuki偶合反应合成了一系列新型的咔唑、芴和2,1,3-苯并硒二唑的共聚物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BSeD)及其相应的聚电解质衍生物——聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并硒二唑-9,9-(双(3′-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNBr-BSeD).在聚咔唑和芴中引入不同比例的2,1,3-苯并硒二唑(BSeD)单元,引起了由咔唑和芴链段向窄带隙苯并硒二唑(BSeD)单元有效的能量转移.通过对聚合物电致发光性能的研究,发现用聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PEDOT)或聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚乙烯咔唑(PEDOT/PVK)作为空穴传输层时,器件的性能相差不大,表明咔唑的引入较明显的改善了聚合物的空穴注入性能.而且几乎所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件和用钡/铝作阴极的器件具有相近的发光性能,表明这类聚合物具有良好的电子注入性能.

化学沉淀法用于多种形貌ZnS纳米晶的可控合成

以辛基酚聚氧乙烯醚(OP-10)为表面活性剂,二甲基甲酰胺(DMF)/水为溶剂,用沉淀法制备了纳米球、纳米棒、纳米片等多种形貌可控的ZnS纳米晶,并且用透射电子显微镜、X射线衍射、紫外吸收、荧光光谱对其进行了表征,并且分析了其形貌转变机理.

新型含咔唑聚芴类共轭聚电解质及其前驱体的合成与光电性能

采用Suzuk i偶合反应成功地合成了一系列在主链上具有不同含量苯并噻二唑单元的聚咔唑和含胺基芴的衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-双(N,N-二甲基胺丙基)芴](PCzN-BTDZ);通过对所得聚合物的季铵盐化后处理得到了其相应的聚电解质衍生物:聚[3,6-(N-(2-乙基己基))咔唑-2,1,3-苯并噻二唑-9,9-(双(3-(′N,N-二甲基)-N-乙基铵)丙基)芴]二溴(PCzNB r-BTDZ)。通过对它们的电致发光性能的研究,发现所有的聚合物用高功函数铝作阴极的器件具有和用钡/铝作阴极的器件相近的发光性能,说明这类聚合物具有良好的电子注入性能。不同比例的2,1,3-苯并噻二唑(BTDZ)的引入使聚合物中发生有效的能量转移,调节了聚合物的发光颜色;同时也提高了聚合物的器件性能。其中聚合物PCzN-BTDZ1在器件结构为ITO/PEDOT/PVK/Polym er/BaA l时的效率达0.99%,高于PCzN在相同器件结构时的效率(0.14%)。