液体声速压力系数与分子有效摩尔体积关系研究

由液体声速与自由程关系出发，导出声速压力系数表达式，并结合Ｋｕｃｚｅｒａ的结论，研究了液体分子有效摩尔体积与分子势能的关系．

现代MOCVD技术的发展与展望

ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术－ 本文综合分析了现代ＭＯＣＶＤ 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展－ 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术－

高亮度InGaAlP DHLED结构设计的研究

InGaAlP双异质结LED结构设计的目的在于减少器件的光、电、热损耗 本文分析各层成分、层厚度、掺杂浓度以及有关的辅助技术 ,例如厚电流扩展层、电流隔离层、布拉格反射层、金属电镀反射层、透明衬底等对LED性能的影响 。

Ni/Si接触界面的ESCA研究

利用XPS、UPS等表面分析方法对Ni/Si接触的界面体系进行了研究,Ni-Si界面在室温下形成不稳定的多晶混层,其演化过程为:NiO_x/金属Ni/富Ni相/Ni-Si互混相/富Si相/Si,同样Ni-Si界面经650℃真空退火形成均匀的NiSi_2界面层,表层并有SiO_2相存在,说明硅化物的生成过程为:Ni与SiO_2接触产生金属氧化物,加热后逐步形成金属硅化物,讨论了NiSi_2的化学键形成。

单模型三元混晶界面极化子

仅考虑高频分支对极化子的贡献，研究了单模型三元混晶界面极化子的性质．既考虑了电子与体声子的耦合，又考虑了电子与两支界面光声子的耦合．我们计算了ＺｎＳｅｘＴｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＧａＡｓｘＳｂ１－ｘ（ＩｎＳｂ）两种材料里电子与声子相互作用．电子在强电场的作用下，界面光声子与电子的耦合加强．体光声子与电子的耦合在ｘ的某一点有一个极小值。

电流变液固体的三维结构

本文运用基于多极展开原理的Ｒａｙｌｅｉｇｈ方程，研究电流变液体系中的多极矩相互作用。计算了体心四方、六角密堆积、面心立方三种结构的有效介电常数，通过比较上述三种结构的有效介电常数与其临界体积比的比值，证明了电流变液由液相向固相转化后所形成的基态结构为体心四方。