单模型三元混晶界面极化子

仅考虑高频分支对极化子的贡献，研究了单模型三元混晶界面极化子的性质．既考虑了电子与体声子的耦合，又考虑了电子与两支界面光声子的耦合．我们计算了ＺｎＳｅｘＴｅ１－ｘ（ＧａＡｓ）和ＧａＡｓｘＳｂ１－ｘ（ＩｎＳｂ）两种材料里电子与声子相互作用．电子在强电场的作用下，界面光声子与电子的耦合加强．体光声子与电子的耦合在ｘ的某一点有一个极小值。