基于SECS/GEM协议的芯片烘箱设备智能故障诊断算法设计

针对芯片烘箱设备故障排查困难,提出了一种改进型贝叶斯网络故障诊断算法。利用SECS/GEM通信协议从设备端获取故障报警数据,建立芯片烘箱设备故障树。将故障树映射为贝叶斯网络,通过对贝叶斯网络反向推理计算得到可用于指导维修工作的诊断决策树。将历史故障样本数据代入算法模型中进行验证分析,验证结果表明,按照诊断决策树进行故障诊断能够将诊断误差率控制在5%左右,满足企业用户要求,具有较高的应用价值。

股权结构与公司绩效——理论的回顾与思考

国内外许多专家学者在股权结构与公司绩效的关系研究方面做了不少研究工作,并取得了相当的成果,但是这些理论也存在许多偏颇和不足。绝大多数研究者基本都仅仅从静态的角度来分析研究股权结构与公司(治理)绩效的关系,却缺乏对公司股权结构变动路径与公司绩效改进的动态关系研究;对外部环境体系对股权结构与公司绩效关系的约束也鲜有研究。但是,学者们研究所采用的计量研究方法、模型,比较研究方法却是值得肯定和借鉴的。

LQFP和eLQFP热机械可靠性的有限元分析

封装形式的差异性对产品可靠性具有重要影响。基于有限元法,对比分析了薄型四方扁平封装(LQFP)和载体外露薄型四方扁平封装(eLQFP)在室温和回流焊温度下的翘曲、芯片和粘片胶的应力水平以及各材料界面应力分布。研究表明,LQFP的翘曲比eLQFP的大,但芯片和粘片胶上的最大应力无明显差别;eLQFP在塑封材料与芯片有源面界面的应力水平比LQFP的大;eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剪切应力比LQFP的大,但eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剥离应力比LQFP的小;eLQFP在塑封材料与芯片载体镀银区界面的应力水平高于LQFP的应力水平,由于塑封材料与镀银芯片载体的结合强度弱,eLQFP更易发生界面分层。

国家科技重大专项组织申报浅析

国家科技重大专项项目申报具有时间紧、任务重、要求高的特点,加强项目申报分析、组织和管理十分关键。本文就重大专项申报过程及重要关注点进行论述,为企业提高申报工作质量,熟悉申报程序提供借鉴和参考。

中国传统管理思想和高校科技企业管理

中国传统管理思想是在特定的社会历史条件中发展起来的,它可以促进我国现代化的发展。包括高校科技企业在内的中国企业要走向实现管理的现代化,必须要对传统的管理思想进行根本性的变革和创新。

浅析等离子清洗对集成电路塑封空洞异常的影响

本文介绍了塑封料与引线框架的粘接强度以及等离子清洗工艺的基本原理,通过等离子清洗实验,浅析了多次等离子清洗对塑封产生空洞异常的影响,分析结论对提高产品的封装可靠性提供了相应的参考依据。

半导体测试机市场现状调研及国产化发展前景分析

半导体测试机是检测芯片功能和性能的专用设备,技术核心在于采样速率、向量深度、功能集成和可延展性。长期以来全球半导体测试机市场份额主要被美国TERADYNE和日本ADVANTEST垄断。伴随着半导体产业链向国内市场的转移,本土芯片设计公司以及封测厂商的崛起带来的半导体国产化替代加速,都为国产测试机发展带来巨大发展机遇。

测试一次良率提升探析

集成电路测试过程中提高一次测试良品率是节约成本和提高效率最直接的方法。由于测量系统精度的限制以及测试条件的差异,误测时常发生。本文探讨了部分影响一次测试良品率的因素及其解决方法。

等离子清洗技术在汽车电子制造中的应用

等离子清洗技术因其在粘接、清洗、涂覆、组装等方面的独特优势,已经成为汽车电子制造中不可或缺的技术。本文详细阐述了等离子清洗技术分类、特点、主要应用方向及不同的测量方法。分析总结了在汽车电子产品封装中的关键性作用,举例说明了在汽车电子产品制造中的重要应用,实践证实等离子清洗技术应用广泛,能有效提升产品品质。研究和实验验证了等离子清洗后的时效性,确定了控制要求。

TSV结构热机械可靠性研究综述

硅通孔(TSV)结构是三维电路集成和器件封装的关键结构单元。TSV结构是由电镀铜填充的Cu-Si复合结构,该结构具有Cu/Ta/SiO2/Si多层界面,而且界面具有一定工艺粗糙度。TSV结构中,由于Cu和Si的热膨胀系数相差6倍,致使TSV器件热应力水平较高,引发严重的热机械可靠性问题。这些可靠性问题严重影响TSV技术的发展和应用,也制约了基于TSV技术封装产品的市场化进程。针对TSV结构的热机械可靠性问题,综述了国内外研究进展,提出了亟需解决的若干问题:电镀填充及退火工艺过程残余应力测量、TSV界面完整性的量化评价方法、热载荷和电流作用下TSV-Cu的胀出变形计算模型问题等。

基于数值模拟的多圈QFN封装热疲劳可靠性试验设计方法

提出一种基于数值模拟的试验设计方法,研究材料属性和几何结构对多圈四边扁平无引脚(Quad flat no-lead,QFN)封装热疲劳寿命的影响,并进行最优因子的组合设计,以提升热疲劳可靠性。采用Anand黏塑性本构模型描述无铅钎料Sn3.0Ag0.5Cu的力学行为,建立三维有限元模型分析焊点在温度循环过程中的应力应变,采用Coffin-Manson寿命预测模型计算多圈QFN封装的热疲劳寿命。采用Taguchi试验设计(Design of experiment,DOE)方法建立L27(38)正交试验表进行最优因子的组合设计。采用有限元分析方法对最优因子组合设计结果进行验证。结果表明,印制电路板(Printed circuit board,PCB)的热膨胀系数、焊点的高度和塑封料的热膨胀系数对热疲劳寿命的影响最为显著;初始设计情况下多圈QFN封装的热疲劳寿命为767次;最优因子组合设计情况下的热疲劳寿命提高到4 165次,为初始设计情况下的5.43倍。

DC/AC系列电源逆变器的智能化设计

介绍了DC/AC系列智能电源逆变器的特点、硬件结构、工作原理及其软件设计方法。该技术已成功地应用于 4 5 0WDC/AC电源逆变器的设计中 ,并已投入批量生产 ,实现了出口。

铜丝键合工艺研究

键合铜丝作为微电子工业的新型研发材料,已经成功替代键合金丝应用于IC后道封装中。随着IC封装键合工艺技术及设备的改进,铜丝应用从低端产品如DIP、SOP向中高端QFP、QFN、多层线、小间距焊盘产品领域扩展。因封装制程对键合铜丝的性能要求逐步提高,促进了铜丝生产商对铜丝工艺性能向趋近于金丝工艺性能发展,成为替代金丝封装的新型材料。文章首先讲述了铜丝键合的优点,指出铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。文章通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。

集成电路封装芯片弹坑问题浅探

论述了集成电路封装过程中因芯片铝垫出现弹坑造成的危害,分析和总结出了造成芯片弹坑问题的主要原因,通过从工艺、设备、制具、材料、方法等综合考虑,提出了预防芯片表面产生弹坑的方法和对策。根据长期实践跟踪的结果,这些方法的应用能够对预防和改善弹坑的发生起到很好的效果,为集成电路设计及封装过程如何预防弹坑问题提供了参考。伴随集成电路芯片小型化、多功能化和铜线工艺、植球工艺等封装技术的广泛应用,通过各级人士在集成电路的设计、封装材料的优化、制程工艺的优化等各方面共同努力,弹坑问题会得到更好的预防和解决。

铜丝键合工艺研究

讲述了铜丝键合的优点,列举了铜丝在键合工艺中制约制程的瓶颈因素有两个方面:一是铜丝储存条件对环境要求高,使用过程保护措施不当易氧化;二是铜丝材料特性选择、制具选择、设备键合参数设置不当在生产制造中易造成芯片焊盘铝挤出、破裂、弹坑等现象发生,最终导致产品电性能及可靠性问题而失效。本文通过对铜丝键合机理分析,提出解决、预防及管控措施,制定了具体的生产管控工艺方案,对实现铜丝键合工艺有很好的指导意义。

集成电路封装溢料问题探讨

溢料问题是集成电路封装过程中常见的质量问题,如何减少溢料的发生和去除溢料方法是封装工程师、电镀工程师以及材料生产商和模具制造商共同探讨的课题。文章详细阐述了集成电路封装过程中常见的溢料发生机理,描述了溢料对组装的危害、如何防止溢料的发生以及溢料去除方法,并且对溢料去除方法的未来发展进行了展望。文中对溢料的发生机理方面进行了细致的研究,从材料、设备以及工艺方法等方面进行深入的解析,提出了有效的改善措施。另外,对业内溢料去除的几种方法进行介绍的同时,强调了各种溢料去除方法的效果及对产品质量的影响,并进行了有效评估。文章对溢料发生和去除方法的探讨是建立在理论基础之上,运用最细致的解析手段进行剖析,更具有指导意义,为提高集成电路封装良率以及组装良率提供理论支持。

塑封集成电路封装芯片压区铝层腐蚀问题探讨

本文分析和总结了集成电路封装中引起芯片压区铝层腐蚀而造成产品可靠性问题的各种原因,并提出了解决方法。分析了环境、材料、工艺等对压区铝层成份变化的影响,研究了不同环境、放置时间、材料对压区铝层氧化和腐蚀的影响,确定了防止压区铝层氧化和腐蚀的最有效措施及改善方法。最后,通过实验对比及生产跟踪证实了所述措施与方法的有效性。

浅谈汽车电子产品的特点与相关认证

随着汽车电子市场的迅速发展,更多的电子电器企业计划进入汽车电子行业供应链。本文详细阐述了汽车电子产品的特点,AEC标准的主要内容,AEC-Q100的等级定义与验证流程、项目,TS 16949的基本内容。讨论了汽车电子与普通电子产品验证项目的差异,标准与规范的运用。总结了汽车电子产品认证的核心内容与关键项目。

焦油和洗油中萘的毛细管气相色谱测定

用 SE- 5 4毛细管柱分析了煤焦油和下游产品洗油中的萘含量 ,比国标法分离度好 ,用内标法 (对四甲苯做内标 )

化合物半导体特性及封装工艺控制

当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材料差异与性能优缺点、应用领域和发展前景。从环保安全、工艺应用、工艺控制、封装材料选用等方面总结了化合物半导体封装工艺控制的关键要求。