闪速存储器的研究与进展

介绍了闪速存储器的发展历史，分析了闪速存储器单元及电路的工作原理，并就“与非”结构闪速存储器进行探讨，最后讨论了在闪速存储器中应用的误差矫正码／电路和深亚微米（０．２５μｍ）闪速存储器技术。

一种简化的E^2PROM存储管I—V模型

提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。

VHSI和VLSI用的微细多层布线

本文对VHSI和VLSI所必需的微细多层布线技术进行了研究。选取聚酰亚胺作为层间介质膜,开发出能形成3μm良好通孔的等离子腐蚀和湿腐蚀法,采用原位物理清除技术从根本上克服了接触电阻的难题。在3μm3层布线场合,R_c≤0.1Ω/孔,布线通孔成品率高于99.99％。本项技术业已实际应用,效果满意。

一种全功能2kbE2PROM的研制

论述了Ｅ２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计、升压电路设计、存储阵列设计等，然后扼要介绍其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。