用电子束工艺反转制造1:1精密掩模的工艺技术研究

本文主要描述了用电子束工艺反转技术制造1：1精密掩模的新方法，给出了从基本原理入手来确定工艺流程和选定工艺条件的过程，并给出制作实例说明了该项技术所取得的经济效益和社会效益。

制造纳米电子器件的技术途径

目的 为发展纳米电子器件及纳米电子学技术寻找有效途径 .方法 对目前制造纳米电子器件的主要途径 ,例如基于三束的光刻加工技术、分子组装与纳米微粒排列技术、扫描力探针加工技术等进行了概略的介绍 ,讨论了各种方法所存在的优势与限制 .结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视 .

电子束直写圆片技术

本文扼要介绍了电子束直写圆片的原理，地形标记的识别，以及电子束曝光系统能识别的圆片标记的制造技术。

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。

ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。

用芯片图形与数据带比较检查掩模缺陷

为了零缺陷的突破,本文介绍芯片图形与数据带(Die-to-date base)比较检查掩模版缺陷的原理,系统组成和数据结果分析。

利用共焦显微技术测试亚微米尺寸

当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时，精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽／间距尺寸，将成为重要而迫切的研究课题。本文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术，以及利用共焦技术制造的LWM200型测试仪的性能，测试0．5μm，0．3μm的黑／白条宽，及其仪器测试性能分析。

改造双极生产线Cr版代替明胶版光刻技术研究

本文叙述了用匀胶铅版制作光刻掩模代替超微粒干版制作光刻掩模的工艺过程，文中就图象发生器直接曝光匀胶铅版以及图象的黑白反转工艺作了较为详尽的介绍，对集成电路的光刻技术有一定参考作用。

微米/亚微米测试校正版的研制及测试

本文主要阐述研制微米／亚微米测试校正版的意义，在研制过程中解决电子束邻近效应、拼接校正、等离子刻蚀、测试技术等几个关键技术问题。完成了多功能、大范围、高精度、边缘较好的微米／亚微米测试校正版。通过测试、分析可以应用于各单位的条宽测量仪器的校正，解决了CD尺寸测试中存在的系统误差问题。这项技术对我公司以及外协单位条宽测试仪的CD尺寸值统一有着重大意义。

用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟

用分子自组装技术制备出纳米金单电子器件 ,并测量了其伏安特性 ,根据单电子系统的半经典理论 ,用MonteCarlo法对其结果进行了模拟 .结果表明 ,模拟出的伏安曲线与实测的伏安曲线有较好的一致性 ,反映了模拟方法用于单电子器件研究的合理性 ,此外发现 ,虽然单电子器件两电极间含有众多的纳米粒子 ,但在低压区 。