ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si_3N_4钝化膜的应用研究

利用ECR－PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜，使芯片电特性有较好改善，完全避免了芯片后加工工序中划伤造成的芯片报废现象，提高了成品率，分析了Si3N4膜的钝化机理。

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。

制造纳米电子器件的技术途径

目的 为发展纳米电子器件及纳米电子学技术寻找有效途径 .方法 对目前制造纳米电子器件的主要途径 ,例如基于三束的光刻加工技术、分子组装与纳米微粒排列技术、扫描力探针加工技术等进行了概略的介绍 ,讨论了各种方法所存在的优势与限制 .结果 对基于分子组装与纳米光刻的纳料制造技术给予很大的重视 .

原子力显微镜观察硅外延片的表面白雾缺陷

本文利用原子力显微镜表征硅气相外延生长的白雾片和正常片。实验证明，白雾片是由许多高低起伏很大的颗粒构成的。而正常片的高低起伏很小，一定范围内无颗粒状结构。该实验清楚表明，形成白雾的原因是高低起伏的颗粒的光漫反射。

电迁移与工艺相关的关系

针对金属化电迁移 ,进行了失效机理与工艺相关性的研究 ;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系 .金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致 .提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法 .

基于神经网络的集成电路生产过程建模与优化

以提高半导体生产线的成品率为目标 ,利用神经网络对半导体芯片生产过程进行了建模和优化 .首先使用神经网络方法建立模型 ,确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射关系 ,构造多维映射函数曲面 ;随后对多维映射函数曲面进行搜索 ,搜索成品率最高的最优点 ,据此确定工艺参数的规范值 ;最后 ,根据优化后的工艺参数规范进行实际生产 .采用这种优化建议 ,半导体生产线的平均成品率由 51 .7%提高到了 57.5% .

基于神经网络方法的半导体生产工艺优化

以提高生产成品率为目标，利用神经网络的非线性和容错性，对半导体芯片生产过程进行了分析和优化，具体内容如下：（１）使用神经网络方法建立模型，确定生产线上工艺参数和成品率之间的映射关系，构造以工艺参数为输入，成品率为输出的多维函数曲面．（２）对上述多维函数曲面进行搜索，搜索成品率最高的最优点，以该最优点的工艺参数值为依据确定工艺参数的规范值．（３）对工艺参数规范进行优化，在实际生产工艺中反复实践，直至达到提高成品率的目的．生产实践证明，神经网络的分析结果是合理的．根据神经网络分析提出的优化建议，有效地提高了工序能力指数和产品成品率的一致性。

集成电路可制造性经济学模型（一）──广义前道工序模型

文章从集成电路（ＩＣ）发展规律出发，提出了可制造性设计的必要性和迫切性，并提出了基于可制造性设计的ＩＣ前道工序成本模型，为实现成本驱动设计的自动化和最优化打下必要的基础。

关于晶体管发射极电流集边效应理论的研究

介绍了晶体管基区电位微分方程解析解的研究结果 ,与方程近似解相比 ,它能定量地阐释发射极电流集边效应及相关参量 。

细菌快速检测盒检测水样中微生物

水中细菌总数是水质的重要卫生监督指标。国内所用检测方法主要是平皿培养法。目前细菌检测技术发展较快,特别是在纯水和超纯水中。在标准膜滤法的基础上发展了膜过滤镜检法和细菌检测盒法。微生物快速检测盒与平皿培养法比较,具有快速、正确、简便、不需要专业无菌技术操作等优点。八十年代后期,随着水处理生产线的大量引进,国外的“微生物快速检测盒”相继进入我国市场。我们从1984年开始进行了细菌检测盒的研制工作,并与平皿培养法进行平行检测试验,

晶体管发射极电流集边效应理论研究的新进展

介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果 ,与方程近似解相比 ,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量 ,也为功率晶体管设计提供更确切的理论依据。

VLSI金属化互连可靠性的快速评价技术

深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将该方法应用到生产实际 ,为工艺可靠性监测、研究电迁移失效机理与关键工艺的相关关系提供了有效手段。

相位量化器专用芯片

相位量化器专用芯片于宗光，徐爱华，王冠仁，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＳｐｅｃｉａｌｉｚｅｄＣｈｉｐｓｆｏｒＰｈａｓｅＱｕａｎｔｉｚｉｎｇ￥ＹｕＺｏｎｇｇ...

高输出电压的D／A转换器

高输出电压的Ｄ／Ａ转换器于宗光，常桂兰，赵晖，周一峰，华晓波，许居衍（华晶电子集团公司中央研究所，无锡，２１４０３５）孟令杰，魏同立（东南大学，南京，２１００９６）ＡＤ／ＡＣｏｎｖｅｒｔｏｒｗｉｔｈＨｉｇｈ－ｖｏｌｔａｇｅＯｕｔｐｕｔ￥ＹｕＺｏｎｇｇ...

集成电路可制造性经济学模型（二）──后道工序及综合效益模型

文章在讨论集成电路（ＩＣ）制造后工序特点基础上，提出了广义后道工序成本模型，该模型综合考虑了ＩＣ封装、总测及老化工序全过程，系统得到了可设计的经济学模型。最后，文章结出了一个集成电路工厂在某产品生命周期内的综合效益最优化模型，为ＩＣ可制造性设计和ＩＣ制造提供了经济学依据。

LB技术制备大面积超薄PMMA抗蚀层的研究

采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制作了分辨率优于０．５μｍ，特征线宽０．３８μｍ的４（１００ｍｍ）铬掩模版。

电可擦除集成电路的发展及关键技术(一)

电可擦集成电路（ElectricallyErasableIntegratedCircuit，EEIC）包括电可擦可编程唯读存储器（EEPROM），闪烁存储器（flashmemory）和可编程电可擦逻辑器件（ProgrammableElectricallyErasableLogicDevice）三大类。本文首先扼要回顾电可擦集成电路的发展历史，然后分别介绍EEPROM，flashmemory，PEELD）的原理，市场等，最后给出了EEIC的关键技术。

关于A/D与D/A转换器发展动向的一些思考

概述了Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的发展动向，分析了其在模拟集成电路中的地位，提出了Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的主流产品和主流技术，在此基础上阐述了我国Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的发展概况，最后提出了发展我国Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的建议。

超净车间的环境卫生状况调查

随着工业技术发展的需要,超净作业技术已被广泛应用。人们长期处于超净环境中作业,会产生若干不适感。为探讨超净作业对工人健康的影响因素,我们对超净车间环境质量指标进行了调查。