微电子工业生产废水处理及回收利用

阐述了微电子工业芯片制造而产生的含氟废水、硅片研磨废水以及纯水处理混床再生所产生的高浓度酸碱废水的处理方法 ,特别对含氟废水的处理进行了大胆的尝试 ,取得了明显的成效。对处理后的合格废水回收用作工艺设备及动力设备的冷却水 。

我国微电子产业发展的问题与建议

当今世界经济已从工业化进入信息化的发展阶段,微电子技术是高科技和信息产业的核心技术,成为当前新经济时代的基础产业。它在国民经济、国防建设以及现代信息化社会中起着极其重要的战略意义。我国微电子产业与国际水平相比还属于幼稚工业,无论技术水平、产品水平还是综合实力都无法与发达国家同行的实力相抗衡。因此,探讨影响该产业的问题与建议很有必要。该文从企业的角度对影响我国微电子产业的发展进行阐述,并提出相应的建议。

国内外微电子工业的现状及发展趋势

本文论述了当前世界以半导体集成电路技术为核心的微电子产业的发展态势,概括介绍了该领域内最新的技术、市场发展现状和发展趋势,并简要论述了我国在这一领域内的发展状况。

反渗透法制取电子级超纯水工艺的改进

在现代大型微电子工业用超纯水系统中二级反渗透 + N2 配合真空膜脱气 +三级混床的工艺属当今最新开发的工艺 ,在大型系统中应用很少 ,我们通过三年多的不断摸索、实践和优化改进 ,最终将该套具有技术先进、投资少、结构紧凑、出水量大、品质高等特点的水系统很成功地稳定运行 ,解决了工艺流程中的缺陷和不足 。

发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响

根据大电流特性影响的理论知识,结合该公司的实际情况,对发射区、基区工艺进行试验分析,结果表明基区浓度、发射区浓度对晶体管的大电流特性影响比较大。

一种高压大电流IGBT的设计与实现

提出了高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计方法,根据国内现有工艺水平,设计了1 700 V/100 A高压大电流的NPT-IGBT,包括其元胞结构、终端结构、工艺流程及版图的设计。通过分析及仿真确定元胞的结构参数;采用场限环与场板相结合的终端结构,讨论场板的设置对终端结构的影响,提出了多晶硅场板设置的方案;流片完成后进行半桥模块的封装,并对模块进行了测试。击穿电压达1 700 V以上,栅发射极漏电流小于80 nA、关断时间小于800 ns、关断功耗小于30 mJ,均达到设计要求。导通饱和压降3.5 V(略高),可通过增大芯片尺寸的方法加以改进。

交流接触器节能芯片ZDLX-1H的设计研究

根据"强电吸合,弱电吸持"的原理,设计了一款能根据外电压的变化智能调整导通角宽度的交流接触器专用节能芯片ZDLX-1H(浙大绿芯1号),并采用CSMC 0.5μm数模混合CMOS工艺实现。以该芯片为核心的节能器与220 V/380 V的交流接触器配合使用,能使交流节能器接触器节电率达到90%以上。此外,芯片ZDLX-1H还具有过压报警、欠压报警和温度报警功能,提高了系统工作的安全性和可靠性。芯片静态工作电流300μA,功耗1.5mW。与目前市场上已有的以单片机为核心的节能器相比,由于ZDLX-1H不含9 kHz以上的振荡信号,不需要做对外干扰的EMI实验,因而包含节能器和交流接触器的整机更易通过国家标准GB8871—2001中的EMC项目测试。

几种新型恒流源集成电路

恒流源在电子线路、仪器仪表、传感器技术以及通信设备、光电子学、电化学等领域均有重要应用,构成恒流源的方法多种多样,人们关注的是能用一个器件或一块集成电路加极少外围元件获得精密恒流源。

硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响

通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018～1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。

微型离子泵抽速测量方法的探讨

探讨了用定容法测量微型离子泵抽速的装置及程序。并给出了抽速测量不确定度的简化评估。

冷凝泵的内部构造、工作原理及其维护保养

本文分析了冷凝泵的内部构造、工作原理 ,详细叙述了工作时的相位关系。使读者对其有一个全新的认识。

多测位并行测试的探索与实践

多测位并行测试技术是半导体测试业节约成本、提高效率的新途径,应用好并行测试技术可以大幅度降低测试成本。本文讲述了用台湾久元的SCUD-512型测试机和东京精密的UF200探针台实现双测位并行测试的实践过程,另外还介绍了并行测试技术在晶圆测试过程中的若干技术问题和解决方案。

超大规模集成电路中的CVD薄膜淀积技术

介绍了在超大规模集成电路制造工艺中 ,用化学气相 (CVD)方法淀积各种薄膜的反应机理和特性 ,及这些薄膜在器件制造工艺中的应用。

如何控制国内IC生产企业的生产成本

IC产业是具有高投入、高风险的行业,企业生产成本的高低直接影响到企业的生存和发展。如何降低成本成了企业经营者关注和值得探索的一个热点问题。本文根据现阶段大部分国内IC生产企业与国外同行相比成本居高的情况,并根据市场经济发展的一些规律,结合国内IC企业的生产特点,提出一些有效的成本控制手段和新的成本核算模式,以达到控制企业生产成本的目的。

直接栅MOSFET静电场传感器温度漂移模型和模拟

推导出了直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移系数,并研究了温度漂移的主要原因。此研究工作对消除直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移有一定的帮助。首先,建立了直接栅MOSFET静电场传感器沟道中电荷随温度变化的模型。其次,根据直接栅MOSFET沟道载流子浓度和载流子迁移率都为温度的函数,将直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移定义为由沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ,并对它们与温度的关系作了推导和研究。最后,对沟道载流子迁移率随温度变化引起的温度漂移系数αμ和由沟道载流子浓度随温度变化引起的温度漂移系数αQ进行了模拟和比较。模拟结果表明,温度漂移系数αμ远小于温度漂移系数αQ。因此沟道载流子浓度随温度变化是直接栅MOSFET静电场传感器的温度漂移的主要原因。

电源类芯片测试修调方法及问题分析

IC芯片设计中为了降低工艺波动对产品良率的影响,提高测试成品率保证参数一致性,通常采用修调方式,尤其在电源类芯片设计中较常见。其中最典型的修调方式就是产品在晶圆测试时,通过熔丝或二极管的修调补偿来调整电路的输出基准和频率,也有的是调整电流。该文主要通过几个电源类芯片测试实例来讲解CP测试中常见的TRIMMING方法,探讨修调测试中易出现的问题和相应的解决方案。

考虑应变梯度和应变率效应的高速切削绝热剪切带研究

应用应变梯度塑性理论来表示高速切削绝热剪切现象,提出绝热剪切带的应变和应变梯度的分布模型,分析了材料的内禀长度对应变及应变梯度的影响.分析结果表明:剪切应变在绝热剪切带中心达到最大值,在两边界线应变达到最小或零;应变梯度在绝热剪切带中心达到最小或零,在两边界线达到最小或零.当材料的内禀长度越大时,绝热剪切应变变化越小越缓慢,应变梯度变化越大.

关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题

应力迁移是影响集成电路 ( IC)金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式 ,并分类说明金属膜厚、线宽、温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产生的可能机理及目前采取的几种对策。

SiO2中Na及Si中B的SIMS分析

ＳＩＭＳ对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度，但其定量分析较为困难。在二氧化硅的ＳＩＭＳ图谱中，由一二氧化硅中的Ｎａ离子的计数和与“ＳｉＯ２”计数和之比正比于二氧化硅中的Ｎａ离子的平均体密度，因此中采用做过ＢＴ（温度偏压）实验的ＭＯＳ电容作为“标定”。因此用ＭＯＳ电容的ＢＴ实验也仅能求出可动钠离子的面密度，因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Ｎａ离子进行估算。