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磁微执行器的原理及应用
被引量:
10
1
作者
朱珂
黄庆安
姚建南
《测控技术》
CSCD
2000年第3期1-5,共5页
首先介绍了磁微执行器的驱动原理及其在发展中遇到的问题 ;然后具体分析了几种代表性的磁微执行器 ;最后介绍了它们的几个典型应用。
关键词
磁微执行器
磁芯
细圈
悬臂梁
磁马达
磁驱动
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职称材料
MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究
2
作者
吴金
魏同立
于宗光
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期26-30,共5页
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径,但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上,重点研究了MOS器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响,并根据低温工...
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径,但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上,重点研究了MOS器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响,并根据低温工作的特点,提出了MOS器件一种低温按比例缩小规则,该原则对低温器件的优化设计,从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。
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关键词
MOSFET
亚阈特性
低温
按比例缩小
场效应器件
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职称材料
硅超高速双极技术的潜力与变革方向
3
作者
魏同立
郑茳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期76-80,共5页
本文评述了硅超高速双极技术的研究现状与极限,指出SiGe异质结构将显著提高现有纯Si器件的电性能,并将成为发展下一代硅超高速双极器件和电路的技术途径。
关键词
硅
硅锗
双极晶体管
异质结
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职称材料
硅片直接键合技术及其应用
4
作者
张佐兰
《电子工艺技术》
1991年第4期14-16,共3页
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。
关键词
硅片
直接键合
SDB
键合
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职称材料
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究
被引量:
2
5
作者
宋安飞
张海鹏
《电子器件》
EI
CAS
2000年第1期13-18,共6页
在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。
关键词
SOI
CMOS
倒相器
MOSFET
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职称材料
题名
磁微执行器的原理及应用
被引量:
10
1
作者
朱珂
黄庆安
姚建南
机构
南京东南大学微电子中心
出处
《测控技术》
CSCD
2000年第3期1-5,共5页
文摘
首先介绍了磁微执行器的驱动原理及其在发展中遇到的问题 ;然后具体分析了几种代表性的磁微执行器 ;最后介绍了它们的几个典型应用。
关键词
磁微执行器
磁芯
细圈
悬臂梁
磁马达
磁驱动
Keywords
magnetic microactuators,magnetic core,coil,cantilever beam, magnetic micromotors
分类号
TM574 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究
2
作者
吴金
魏同立
于宗光
机构
南京东南大学微电子中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期26-30,共5页
基金
国家自然科学基金博士点基金
文摘
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径,但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上,重点研究了MOS器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响,并根据低温工作的特点,提出了MOS器件一种低温按比例缩小规则,该原则对低温器件的优化设计,从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。
关键词
MOSFET
亚阈特性
低温
按比例缩小
场效应器件
Keywords
MOSFET,Subthreshold behaviour,Low temperature,Scale down principles
分类号
TN386.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅超高速双极技术的潜力与变革方向
3
作者
魏同立
郑茳
机构
南京东南大学微电子中心
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994年第2期76-80,共5页
文摘
本文评述了硅超高速双极技术的研究现状与极限,指出SiGe异质结构将显著提高现有纯Si器件的电性能,并将成为发展下一代硅超高速双极器件和电路的技术途径。
关键词
硅
硅锗
双极晶体管
异质结
Keywords
Si,SiGe,Bipolar transistor,Ultranigh speed
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
硅片直接键合技术及其应用
4
作者
张佐兰
机构
南京东南大学微电子中心
出处
《电子工艺技术》
1991年第4期14-16,共3页
文摘
本文简要介绍硅片直接键合和它的减薄技术以及该技术在微电子学中的应用。
关键词
硅片
直接键合
SDB
键合
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究
被引量:
2
5
作者
宋安飞
张海鹏
机构
南京东南大学微电子中心
出处
《电子器件》
EI
CAS
2000年第1期13-18,共6页
基金
国家自然科学基金重点项目 !(批准号 :6 9736 0 2 0 )
文摘
在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。
关键词
SOI
CMOS
倒相器
MOSFET
Keywords
high-temperature SOI CMOS inverter
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
磁微执行器的原理及应用
朱珂
黄庆安
姚建南
《测控技术》
CSCD
2000
10
下载PDF
职称材料
2
MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究
吴金
魏同立
于宗光
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
下载PDF
职称材料
3
硅超高速双极技术的潜力与变革方向
魏同立
郑茳
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1994
0
下载PDF
职称材料
4
硅片直接键合技术及其应用
张佐兰
《电子工艺技术》
1991
0
下载PDF
职称材料
5
高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究
宋安飞
张海鹏
《电子器件》
EI
CAS
2000
2
下载PDF
职称材料
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