AlGaN/GaN HEMT器件的研制

介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱和电流密度为 0 95A/mm .

固态微波器件的开发现状及在微波中继通信中的应用

本文较系统地评述了当前国内外主要固态微波器件的开发水平;阐述了微波中继通信的发展和技术水平现状;较详细地介绍了固态微波器件在微波中继通信中的若干典型应用实例。目的是从若干关键固态微波器件在这一领域的应用来透视固态微波器件在民用领域的应用现状和广阔发展前景,以引起人们对军品民用化开发的关注和重视。

倒装片PIN二极管串联电阻测试方法研究

文章介绍了一种利用矢量网络分析仪测试倒装片PIN二极管串联电阻的测试方法。希望通过文章的介绍,可以为相关的工作人员提供帮助。

用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析.室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·m2。随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.

难熔金属硅化物的喇曼散射

用电子束蒸发方法在10^(-7)托真空中使单晶硅上蒸上一层Ti膜后,于N_2中进行从500-1000℃10秒钟的快速热退火,由激光喇曼光谱结合薄层电阻测量和转靶X射线衍射研究分析了TiSi_2的形成.退火温度高于680℃时,观察到207和244cm^(-1)波数处的两个TiSi_2的特征喇曼峰,当退火温度为580℃时,只有270,297和3ncm^(-1)的三个喇曼峰,这些可能是钛的氧化物和不包括TiSi的钛硅化物.

正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用

在对P^+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P^+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.

乙硼烷气体含量的测定

一、前言 已硼烷（B2H6）是一种带有类似硫化氢臭味的易燃易爆剧毒气体，在空气中的最高允许浓度为0.1ppm（按美国ACGIH1963年标准，我国尚未制定）。在半导体技术中，乙硼烷用作外延工艺的气相掺杂源、扩散工艺的扩散源和离子注入源，它通常用氢、氮、氩等气体稀释后使用。市售的乙硼烷钢瓶含量一般从百分之几到百分之零点几。直接用于半导体工艺的乙硼烷气体，根据使用要求的不同，含量从几ppm至几百ppm。在贮存过程中，由于乙硼烷化学性质比较活泼，易于水解、氧化及分解，含量会逐渐降低。为了准确地控制工艺条件，对稀释气体中乙硼烷的含量进行准确测定是十分必要的。

一种扩展压控振荡器带宽的方法

文中介绍了用电抗补偿的方法实现压控振荡器的频带扩展,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计对该方法进行了分析。根据仿真结果和测试结果的对比表明,仿真结果较好地反映了实际结果。电抗补偿的方法能有效扩展压控振荡器的频带,同时还可以改善压控振荡器的电调线性。

微波功率模块

功率模块(MPM)是指应用于微波和毫米波频段的高度小型化和全集成的放大器(发射机)将三种传统的不同器件:行波管(TWT)、电源和固体放大器(SSA)集成于一个组件中,形成“超级”部件功率模块。(按照设计要求,功率模块可在1.5倍频程上提供增益大于50dB的100W的连续波射频输出功率)。

8GHz～12GHz推-推压控振荡器设计

文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz～12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力。这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义。

SiO_2上共溅射W-Si薄膜退火后的X射线衍射研究

用一个W-Si混合靶源,以直流磁控溅射在SiO_2上共溅射一层W-Si薄膜后,进行500—1000℃,15s的真空快速热退火,发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值。用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象。在直至1100℃高温退火的样品中发现薄膜中存在W_5Si_3。它对薄层电阻有一定的贡献。

栅状表面共振吸收的光声学研究

用光声学的方法首次研究了栅状表面的共振吸收问题,并观测到了栅状金属表面和栅状半导体表面对入射光的共振吸收现象,还从理论上对栅状表面共振吸收作了进一步的研究。理论和实验结果表明,对于一个给定的入射光波长,选择合适的金属栅的几何参数(栅格周期及高度)和物理参数(介电常数),可以在吸收谱上得到尖锐的共振吸收峰,在吸收峰附近金属表面的反射光强度接近为零,而金属表面场强则可达原入射光场强的上百倍。