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16 Gb/s GaN数模转换器芯片
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作者 张有涛 孔月婵 +2 位作者 张敏 周建军 张凯 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）0．1μm GaN工艺，采用f1／fmax分别为100GHz／165GHz的耗尽型晶体管设计，首次研制出16Gb／s的3bit DAC芯片。该芯片内核面积约为1．20mm×0．15mm。
关键词 DAC芯片 B/S GAN 数模转换器 南京电子器件研究所 晶体管设计 耗尽型
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