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有序Ni纳米线阵列的制备及其磁滞回线 被引量：19
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作者 潘谷平 薛宽宏 +6 位作者 孙冬梅 徐士民 潘明虎 鹿牧 邱齐 李光来 王广厚 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第6期675-680,共6页
由铝在１５％硫酸介质中进行电化学氧化而得到的多孔Ａｌ２Ｏ３是制备有序纳米线阵列的一种很好的样模材料．在该样模中电沉积的有序Ｎｉ纳米线阵列排布规则、有序．磁滞回线测量表明，长径比为４００的Ｎｉ纳米线阵列在垂直于Ａｌ２Ｏ... 由铝在１５％硫酸介质中进行电化学氧化而得到的多孔Ａｌ２Ｏ３是制备有序纳米线阵列的一种很好的样模材料．在该样模中电沉积的有序Ｎｉ纳米线阵列排布规则、有序．磁滞回线测量表明，长径比为４００的Ｎｉ纳米线阵列在垂直于Ａｌ２Ｏ３表面方向（即平行于Ｎｉ纳米线方向）的矫顽力为８３１Ｏｅ，矩形度达０．９１，具有显著的磁单轴各向异性和磁单畴特性． 展开更多
关键词 多孔氧化铝 磁滞回线 镍纳米线 样模法
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