Zn_xFe_(3-x)O_4-α-Fe_2O_3纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构(英文)

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3 xO4) α Fe2 O3非均匀体 ,电子显微分析证实了这种微结构。该体系在 0 5T磁场、4 2K温度下 ,磁电阻效应可达 1 2 80 %,30 0K下为 1 58%

应力对铋系铁电薄膜性能影响的研究进展

应力普遍存在于铁电薄膜中,是影响薄膜性能和薄膜电子器件可靠性的一个重要参数。本文系统介绍了本小组近年来所进行的应力对铋系铁电薄膜(Bi3.25La0.75Ti3O12,Bi3.15Nd0.85Ti3O12和SrBi2Ta2O9)的铁电性能及与铁电存储有关的开关、疲劳性能等影响的研究。结果表明:张应力有利于增大薄膜的剩余极化和开关电荷量,而压应力却使得两者都降低。还发现:应力对薄膜的开关时间、矫顽场、疲劳性能等都有影响。其结果都与“应力作用下薄膜内铁电畴的重新取向”有关。

Nd-Sr-Mn-O钙态矿锰氧化物的低场磁电阻效应

采用固相烧结法和脉冲激光沉积法分别制备了钙态矿型锰氧化物Nd1-xSrxMnO3(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)大块多晶和Nd0.7Sr0.3MnO3在(100)LaAlO3基片上的单取向薄膜样品,分别研究了这些样品的磁电阻效应。研究表明,在多晶样品中,x=0.3时具有最大的磁电阻比,其值在240K和1T磁场下可达24.2%。对于同一成分的外延薄膜,发现磁电阻随着沉积时基片温度Ts的升高而下降,当Ts=500℃时的制备态薄膜在同样条件下的磁电阻可达84%,随着外加磁场增大到5T,磁电阻将线性增大到275%。并讨论了造成单取向膜和块材磁电阻不同的原因。

Rocks高性能计算集群的建立和管理

论述了用Rocks集群操作系统来搭建和管理具有高性能计算能力的PC集群的方法和过程,并以目前流行的几种支持并行计算的第一性原理软件包ABINIT及VASP为例,详细说明了Sun Grid Engine(SGE)对用户计算任务管理的方法和因此而显示出的优越性,同时还探讨了各种软件在集群上的加速比问题。

量子相变和量子临界现象

本文综述凝聚态物理学中的量子相变和量子临界现象,首先考察了相变中存在量子效应的可能性,通过横磁场Ising模型介绍了量子相变的基本特征;接下来对照热临界现象,引入了量子标度和量子重正化的基本概念和操作方式;然后利用量子临界现象的方案,分析了密度驱动、无序驱动和关联驱动的金属-绝缘体相变;继续利用量子临界性的概念探讨如重电子化合物、铜氧化物和巡游铁磁体这类复杂的相互作用多粒子系统;最后选择量子点、碳纳米管和单层石墨为例,介绍了量子临界性在低维和纳米系统研究中的作用。

多晶硅薄膜太阳电池

对已经取得较普遍应用的Si体太阳电池来说,开发新技术以降低电池的制造成本是目前该领域最重要的努力方向之一。尽管通过优化制造工艺可以在一定程度上进一进降低单晶Si和多晶Si体太阳电池的成本,但要进一大幅度地降低Si太阳电池的成本似乎是只能依赖于新一代的多晶Si薄膜电池。多晶Si薄膜电池因其转换效率高、寿命长和工艺简化等优点而极具潜力。本文从材料制备、材料性能和有关工艺等方面对多晶Si薄膜太阳电池的发展现状作了介绍。

FeZrNbBCu非晶和纳米晶合金高温磁性能研究

利用单辊熔淬法制备了FeZrNbBCu非晶薄带,然后通过非晶晶化方法得到纳米晶合金.研究了FeZrNbBCu非晶和纳米晶合金的磁性能与温度的关系.非晶态合金晶化升温过程中磁导率~温度曲线中出现了一个Hopkinson峰,而在晶化后的样品中没有出现,并根据各向异性的变化和磁化强度与温度的关系进行了合理的解释.对于非晶样品和晶相体积分数小的合金样品,当温度接近残余非晶居里温度时,磁导率急剧减小;而对于非晶相含量很少的样品,其磁导率随温度升高而缓慢下降,根据双相合金中交换作用模型进行了解释.

单面和双面沉积甘油的玻璃化转变力学谱比较

基于复合体系簧振动方法,比较了单面和双面沉积时甘油的玻璃化转变力学谱.结果表明:沉积面积对甘油力学谱的影响不大;在单面沉积时,其升、降温过程中的力学谱的差异明显,且降温过程中的模量虚部峰所对应的温度高于升温过程的相应温度,显示出非本征的转变行为;而在双面沉积时,其升、降温过程中的模量虚部峰所对应的温度基本重合,表明其更具可靠性.

纳米结构Zn_xFe_(3-x)O_4-α-Fe_2O_3多晶材料中的巨隧道磁电阻效应

在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中 ,当晶界为α Fe2 O3纳米量级 ( 6— 7nm)的绝缘层时 ,则构成 (ZnxFe3-xO4 ) α Fe2 O3非均匀体 ,高分辨电子显微镜已证实了这种微结构 ,该体系在 0 .5T磁场、4 .2K温度下 ,磁电阻效应可达12 80 % ,3 0 0℃下为 15 8% .

半导体微腔中激子的光学效应

文章基于Fabry-P啨rot半导体微腔,阐述了新型元激发——激子极化激元的基本概念和微观描述,讨论了其在光学放大器、光学开关和单光子源方面的潜在应用,概述了对其实现Bose-Einstein凝聚的实验研究,最后对将来的发展做了一个简单的展望.