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带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
被引量:
3
1
作者
甘新慧
廖远宝
+5 位作者
刘东
戴明
徐岭
吴良才
马忠元
徐骏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1076-1080,共5页
CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对...
CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。
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关键词
CdS纳米晶薄膜
化学浴淀积法
紫外可见光吸收谱
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职称材料
题名
带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
被引量:
3
1
作者
甘新慧
廖远宝
刘东
戴明
徐岭
吴良才
马忠元
徐骏
机构
南京大学固体微结构物理国家重点实验室、南京大学物理系
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期1076-1080,共5页
基金
国家自然科学基金(10574069,60425414)
国家重点基础研究发展计划(2007CB935400)资助项目
文摘
CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。
关键词
CdS纳米晶薄膜
化学浴淀积法
紫外可见光吸收谱
Keywords
CdS nanocrystalline films
chemical bath deposition
UV-Vis absorption spectra
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质
甘新慧
廖远宝
刘东
戴明
徐岭
吴良才
马忠元
徐骏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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职称材料
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