调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

AlGaN/GaN异质结构的X射线衍射研究

在(0001)取向的蓝宝石(α-Al2O3)基片上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长了势垒层厚度为1000?的Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构;;利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术测量了样品的对称反射(0002)和非对称反射(1014)的倒易空间Mapping(RSM)。结果表明;;样品势垒层的内部微结构与应变状态和下层i-GaN的微结构与应变状态互相关联。样品势垒层的微应变已经发生弛豫;;而且具有一种“非常规”应变弛豫状态;;这种弛豫状态的来源可能与n-AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α-Al2O3界面应变弛豫状态有关。掠入射X射线衍射研究表明样品内部的应变是不均匀的;;由表层的横向压应变状态过渡到下层的张应变状态;;与根据倒易空间Mapping分析得到的结果一致。

室温下Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒在Si衬底上的化学自组装

应用胶体化学的方法,在溶液中合成了Ⅱ-Ⅵ族化合物—CdSe,CdTe纳米晶粒.紫外-可见光吸收谱(ABS)和光致荧光谱(PL)显示Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒具有良好的单分散性.在室温下利用双功能分子在S i衬底表面组装了Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒,原子力显微镜图像和接触角实验证实,Ⅱ-Ⅵ族纳米晶粒已经自组装到了S i衬底表面,并且表面比较平整,纳米晶粒分布均匀.

镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅／氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法． 研究结果表明： 在经过氧化处理后， 薄膜中的Ｓｉ与Ｏ结合形成氧化硅同时单晶Ｇｅ 被析出形成了镶嵌型的纳米Ｇｅ 颗粒； 在Ａｒ＋ 激光（４８８ｎｍ ）的激发下， 观察到了室温下的光致发光现象． 发光峰中心位于２．２ｅＶ． 由多层膜制备出的样品其发光强度相对加强， 且半高宽也显著变窄， 表明利用多层膜可较好地控制尺寸分布．

超导电性的交流磁化率研究

本文综述了交流磁化率在超导电性物理研究方面的进展。主要包括如何用交流磁化率确认超导电性,测定各种超导电参量(临界温度,临界磁场等),研究涡旋物质的强度(临界电流密度,不可逆场等),涡旋动力学(磁弛豫,钉扎能等)。

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3簿膜的掠入射X射线衍射研究

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况。结果表明,LCMO薄膜在MgO和ALO基片上的应变弛豫临界厚度很小,这可能与薄膜—基片之间高的晶格失配率有关。LCMO薄膜的应变弛豫与四方畸变的弛豫可能具有不同的机制。利用掠入射X射线衍射对LCMO薄膜面内生长取向的研究给出了与利用电子显微技术研究相同的结果。

单分子膜系统中二维生长过程的研究(英文)

当处于气液界面的类脂类化合物的单分子膜被压缩时 ,随着分子间距的缩小 ,单分子膜将经历一系列相变过程。通过荧光显微术可以观测到新相的成核和生长过程。由于单分子膜的二维特性 ,该系统中的实验观测对于检验和发展二维界面生长理论尤为重要。本文总结了近年来本课题组与相关单位合作 ,在单分子膜系统中发现的实验现象以及对其生长机制的系列研究。内容包括对单分子膜系统中的成核、界面稳定性、枝晶生长、形态演变等的观测和分析。

带隙可调的CdS纳米晶薄膜的化学浴制备和光学性质

CdS是一种直接带隙半导体,室温下其禁带宽度约为2.4eV,是一种良好的太阳能电池窗口层材料和过渡层材料。分别以CdCl2和(NH2)2CS作为镉源和硫源,用化学淀积法在玻璃上生长CdS纳米薄膜,考察了Cd2+浓度、淀积温度、淀积时间以及溶液pH值对CdS成膜的影响。紫外可见光吸收谱和荧光光谱的结果表明,在样品的制备过程中,通过改变反应条件如化学试剂的浓度、加热温度、加热时间等来控制薄膜中颗粒的尺寸大小,随着反应温度的逐渐降低或反应时间的减少等可以使得到的CdS纳米晶薄膜中晶粒尺寸逐渐减小,带隙增加;镉离子浓度越小或氨水浓度越大,所得CdS纳米晶薄膜带隙越大。

Cu_(15)-Al_(85)混合粉末机械合金化反应的^(27)Al核磁共振研究

测量了经过不同时间球磨的Cu1 5-Al85混合粉末的2 7Al核磁共振 (NMR)谱 ,通过分析2 7AlNMR谱的特征参量随球磨时间的变化来研究Cu1 5-Al85混合粉末机械合金化反应的微观过程 样品在球磨过程中发生了真正的合金化反应 ;

3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据

报道了关于3C-SiC纳米颗粒量子限制效应的实验证据.将电化学腐蚀3C-SiC多晶靶材得到的多孔材料在水溶液中进行超声处理,制备出发光的3C-SiC纳米颗粒溶液.透射电镜实验表明,所得颗粒直径分布在1—6nm范围.光致发光谱实验给出了存在量子限制效应的实验证据.发光范围在440—460nm.SiC纳米颗粒量子限制效应的发现,为该材料在光电子发光器件中的应用提供了重要的实验基础.

Co／Cu多层膜反铁磁第一、第二峰耦合结构的磁电阻与结构研究

确定了Co/Cu多层膜的第一和第二反铁磁耦合对应的非磁层（Cu)的厚度，对相同厚度铁磁层（Co)制备了第一与第二反铁磁耦合的Co/Cu多层膜，利用同步辐射掠入射X射线散射（衍射）技术研究了耦合多层膜的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

非化学计量配比La0.67Sr0.33-x□xMnO3的结构和输运性质的研究

利用固相反应法制备了非化学计量配比的类钙钛矿锰氧化物La_(0.67)Sr_(0.33-x)□_xMnO_3(0<x≤0.33),研究了A位空位对材料的晶体结构和输运性质的影响.对粉末X射线衍射谱的Rietveld全谱拟合表明样品均为单相,在x=0到x=0.33空位浓度范围内晶体对称性没有发生变化,均具有三方对称性,空间群为R3c.晶体结构参数随空位浓度x发生了明显变化,可能是由空位在A位和Mn位不确定的占有比例所致.Mn—O—Mn键角随x增加而发生变化,表明MnO6八面体在原有静态畸变的基础上发生了进一步的畸变.对样品电输运特性的分析表明:在x<0.25的范围内,样品随着温度的升高发生金属—绝缘体转变,外加磁场降低了样品的电阻率,同时使居里温度向高温区移动;而当0.25≤x≤0.33时,在室温到95K的温度范围内均未发现样品的金属—绝缘体转变,但是外加磁场仍然降低了样品的电阻率.

硅纳米结构中硅空位缺陷引发的双峰蓝光发射

报道了在硅纳米结构中 4 1 7nm和 4 36nm双峰结构的蓝光发射的实验和理论研究结果 .制备了四种包含和没有包含β SiC纳米晶粒的硅纳米结构 ,观察到了 4 1 7nm和 4 36nm的双峰蓝光发射 .光致发光谱的分析和微结构的观察揭示了蓝光发射与硅纳米结构中过剩硅缺陷中心的存在有关 .计算了由过剩硅原子形成的含有硅空位缺陷的纳米晶粒的电子能级 ,发现计算所得的态密度的特征与观察到的双峰发射吻合 .这项工作提出了在许多硅纳米结构中存在 4 1 7nm和 4

磁性材料进展

磁性材料大体上分为两类 :其一为铁磁有序的金属磁性材料 ;其二绝大多数为亚铁磁有序、具有半导体导电性质的非金属磁性材料 .5 0年代以前 ,金属磁性材料占绝对优势 ;5 0年代以后 ,非金属磁性材料发展成为磁性材料的主流 ,除电力工业用的高饱和磁化强度FeSi合金外 ,铁氧体几乎应用于各个领域 .历史似乎按螺旋形的方式发展 ,90年代后 ,金属磁性材料又以新的面貌出现 ,3d (4f,4d ,5d ,5f… )合金与化合物、非晶、纳米微晶磁性材料重领风骚 ,其性能远超越铁氧体 .纳米磁性材料将成为新的功能材料 .文章重点介绍了永磁材料与软磁材料 ,其他如磁记录材料、磁致冷材料、磁致伸缩材料等将作简单介绍 .

具有室温巨隧道磁电阻效应与高自旋极化率的新材料

回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用 ,报道了锌铁氧体 氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果 ,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料 ,值得进一步开展相关的研究工作 .

Nd∶LiTaO_3背散射组态下的喇曼光谱异常

本文研究了掺钕钽酸锂晶体背散射几何组态下的喇曼光谱，与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比，发现喇曼谱中不仅有Ｅ（ＬＯ＋ＴＯ）模向Ａ１（ＴＯ）模的转变，而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化，本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨．

庞磁电阻Pr0．7Sr0．3MnO3／La0．5Ca0．5MnO3／Pr0.7Sr0.3MnO3三层膜的应变分析

用脉冲激光沉积法在MgO(001)衬底上生长了Pr0.7Sr0.3MnO3/La0.5Ca0.5MnO3/Pr0.7Sr0.3MnO3三层膜,其中Pr0.7Sr0.3MnO3的厚度为36nm,La0.5Ca0.5MnO3厚度分别为6、12、18、24、30和36 nm。通过高分辨X射线衍射的对称扫描和非对称扫描测量了三层膜中Pr0.7Sr0.3MnO3和La0.5Ca0.5MnO3的面外、面内晶格参数,研究了薄膜的晶格应变及其弛豫状况。结果表明,La0.5Ca0.5MnO3厚度的增加使薄膜面外应变完全弛豫,但面内的压应变仍然存在。三层膜应变弛豫状态由块材应变和Jahn-Teller应变共同决定。三层膜的应变弛豫机制与四方畸变的应变弛豫机制不同。块材应变和Jahn-Teller应变之间的相互竞争决定了薄膜的磁输运性质。

Cu Al混合粉经过球磨后的^(27)Al核磁共振谱与机械合金化反应

测量了ＣｕＡｌ 混合粉末经过不同时间球磨后的２７Ａｌ 核磁共振（ＮＭＲ） 谱，分析了２７Ａｌ ＮＭＲ 谱的特征参量随球磨时间的变化．根据２７Ａｌ ＮＭＲ 谱所提供的信息，研究了ＣｕＡｌ 混合粉末机械合金化反应的微观过程．ＣｕＡｌ 混合粉末的２７Ａｌ Ｋｎｉｇｈｔ 位移随球磨时间的增加而减小．对于ＣｕＡｌ 混合粉末，球磨不仅改变了２７Ａｌ 附近的化学短程序，而且也直接地影响了２７Ａｌ 的外层电子态，后者使传导电子的ｓ 态成分减小．实验结果表明，ＣｕＡｌ 混合粉末在球磨过程中发生了真正的合金化反应；经过９０ ｈ 球磨完成了合金化反应；用机械合金化法制备的ＣｕＡｌ

薄膜和多层膜的X射线散射方法与应用

文章主要介绍了几种X射线散射技术,包括X射线小角反射技术、X射线漫散射技术、掠入射X射线衍射和多晶薄膜的小角衍射技术。通过具体的事例说明这些X射线散射方法在薄膜研究中的应用。

一种改进的研究蛋白质-蛋白质相互作用的平均势方法

在原子水平上发展了一种距离相关的用于研究蛋白质-蛋白质相互作用的平均势(potential of mean force,简称PMF)方法.与传统理论模型相比,我们的模型考虑了蛋白质系统的复杂环境因素.这种改进使得该模型能够给出物理上更合理和准确的势函数形式.得到这样的势函数是正确描述蛋白质结构及相互作用的前提条件.而且借助于改进后的方法,还可以对蛋白质中残基相互作用的空间拓扑规律进行研究.期望这种改进将促进平均势方法在蛋白质科学其他领域,如蛋白质折叠识别,结构预测及热稳定性预测中的应用和发展.