实验室是现代化大学的心脏

从国际、国内实验室发展情况阐述了实验室的重要性 ,实验室可比喻为现代化大学的心脏。讨论了建设好实验室的关键、实验教学改革、实验队伍及对实验室的希望。

“针尖下的实验室”——扫描探针探测与调控铁电畴及其微观物性

铁电和多铁材料作为未来高性能信息媒介引起广泛关注.其中铁电畴的形态及演化特征可显著影响材料电导、光伏、磁电耦合等诸多物理性能以及器件功能,尤其是新奇拓扑畴带来诸多新颖物性,使得通过畴调控方法设计材料及器件性能成为可能.深入理解铁电畴及其微观物性调控规律有望为后摩尔时代信息技术带来新的器件设计方案.本文主要介绍通过多功能扫描探针显微镜研究铁电和多铁材料的微观畴结构和相关物理性能,及其调控规律和机制,并在此基础上构筑新原理信息器件.

含空位的二维GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究

基于密度泛函理论,计算了二维GaN及其Ga、N空位体系的电子结构和光学性质,通过形成能的计算分析了空位缺陷体系的稳定性,然后进一步计算了各体系的电子结构,分析并讨论了空位缺陷对吸收光谱的影响。计算结果表明:Ga-N空位体系形成能最小,该结构最容易形成;Ga空位体系产生的缺陷能级使二维GaN呈现p型半导体特性,反之N空位缺陷呈现n型半导体特性,缺陷能级的出现有利于提高二维GaN电子迁移率以及光响应能力;各空位体系的吸收光谱均发生红移,其吸收系数在低能区域均大于本征二维GaN,这说明Ga、N空位的产生可以提升二维GaN对可见光的吸收能力。

柱撑蒙脱石的微结构变化研究

制备了柱撑蒙脱石，并运用^(27)Al核磁共振谱等技术对柱化溶液中的Al的状态进行了研究，运用X射线定向衍射技术、红外光谱、差热、热重分析及原子力显微镜等技术对往化粘土中Keggi结构的作用及热稳定性进行了研究.结果表明，AlCl3溶液在［OH－］／［Al^(3+)］＝2．4时水解生成的Kegin离子最多.柱撑蒙脱石层间距在自然状态下为2．53um，300℃灼烧后层间距稳定在1．83um，具有较好的热稳定性．

蒙脱石热处理产物的微结构变化研究

本文对广东和平蒙脱石及其热处理产物进行了化学分析、差热和热重分析、X射线粉末衍射分析、红外吸收光谱分析、扫描电镜、原子力显微镜及魔角旋转核磁共振等研究。结果表明 ,蒙脱石在热处理温度为 1 2 6℃— 1 48℃时 ,主要脱出吸附水和层间水 ,这一脱水过程是可逆的。当热处理温度达到 659℃时 ,蒙脱石八面体片中的羟基开始脱失 ,但层状结构仍然保持 ,这种羟基的脱失过程对应着八面体片中 Al 向 Al 的转变。当温度达到 90 0℃时 ,蒙脱石的层状结构完全被破坏 ,并有新的矿物相 μ-堇青石产生。当温度为 1 2 0 0℃时 ,则出现方英石及莫来石相。当热处理温度达到 1 350℃时 ,方英石及莫来石的含量略有减少 ,并出现较多的含铁堇青石相。

蒙脱石酸处理产物的微结构变化研究

本文对广东和平蒙脱石及其酸处理产物进行了化学分析、X射线粉末衍射分析、红外吸收光谱分析、电子顺磁共振谱、原子力显微镜及魔角旋转核磁共振等研究．结果表明，酸处理浓度对蒙脱石的表面结构有很大的影响．当酸处理浓度达到20％时，蒙脱石的Q3Si结构有部分转变为畸变的Q3Si结构和Q4Si结构，而Al的结构状态则没有发生任何变化，这与原子力显微镜的观察结果相一致．

高校实验室安全管理工作的研究与实践

针对目前高校实验室在安全管理工作中存在的诸多问题,从硬件建设、机构建设、管理制度建设等方面提出具体的改进措施。经过努力实践,实验室在基础设施的建设和维护、培训准入机制、安全检查机制和考核奖惩机制等方面取得较大进展,积累了丰富的管理经验。高校实验室的安全管理工作内涵非常丰富,在整合硬件资源、建立安全事故应急机制等方面还有许多工作有待进一步完善。作为实验室安全工作人员,不能存有任何侥幸心理,一定要认真落实每一个环节,不断完善安全管理工作和提高安全管理水平。

实验室是培养创新人才的摇篮--从卡文迪什实验室看实验室的作用

介绍了英国剑桥大学卡文迪什实验室的发展历程,特别是该实验室的历届实验室主任的创新思想,大胆改革实验室的主要研究方向,并取得了一系列推动科学发展的辉煌成就,与此同时,从第一任实验室主任麦克斯韦到瑞利勋爵、J.J.汤姆森、卢瑟福、W.L.布格、莫特等,培养了一代一代的著名科学家。实验室是培养创新人才的摇篮,是现代大学的心脏。

实验室的重要性,再强调也不过分

提出对实验室的重要性再强调也不过分的观点。联系国外一些著名实验室的情况,提出如何建设高水平的实验室,并进一步论述了实验室对培养科学工作者的作用。文章对实验室存在的一些问题作了讨论,提出要采取措施,充分发挥仪器设备的使用效率,要注意实验仪器设备的配套,使仪器发挥更好的作用。

蒙脱石热处理过程中的微结构变化及μ-堇青石相的发现

采用现代谱学分析技术对广东和平蒙脱石及其热处理产物进行系统研究.结果表明,热处理温度达到659℃时,蒙脱石八面体片中的羟基开始脱失,对应着八面体片中AlⅥ向AlⅣ的转变.900℃时有新的矿物相μ-堇青石产生,1200℃出现方英石及莫来石相.1350℃出现较多的含铁堇青石相.

完善管理机制,促进实验室开放、流动、联合

南京大学固体微结构物理实验室是1984年国家计委投资建立的首批国家重点实验室之一。作为国家重点实验室,得到了国家的重点投资,引进了一批先进的现代化仪器和设备。但要取得一流的科研成果,还需要进行科学的组织和管理。

薄膜微结构分析的几种X射线散射技术

文章厄要介绍了X射线小角反射、X射线漫散射技术、X射线表面衍射和多晶薄膜的小角衍射实验原理和实验技术,特别针对各种实验技术中实验数据的采集要求做了细致描述;通过对自旋阀、异质结构中的应变、薄膜深度轮廓及应变规律等的研究,说明这些散射技术在薄膜研究中的应用.

纳米结构铁电膜的制备和物性及微结构表征

采用脉冲激光淀积法在硅基氧化铝纳米有序孔膜版介质上(膜版孔径平均尺寸25nm,内生长Pt纳米线作为底电极一部分)制备了纳米结构的BaTiO3铁电膜(膜厚25nm),并对其铁电和介电性能以及微结构进行了表征.结果表明,BaTiO3铁电纳米膜的介电常数随着测量频率的增加(103～106Hz)从196缓慢下降到190;介电损耗在低频区域(103～105Hz)从0.005缓慢增加到0.007,而在高频率区域(>105Hz)快速增加到0.013.薄膜的剩余极化强度约为5μC/cm2,矫顽场强约为680kV/cm.剖面(S)TEM像表明,BaTiO3铁电纳米膜与Pt纳米线(底电极)直接相连,它们之间的界面具有一定程度的弯曲.为兼顾氧化铝纳米有序孔膜版内的金属纳米线有序分布及BaTiO3纳米膜的结晶度,选择合适的退火温度是制备工艺中的关键因素.

PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3陶瓷材料的微结构和疲劳性能研究

先给出了PbZr_0.52Ti_0.48O_3(PZT)陶瓷材料在低温下变温XRD分析结果,证明了超晶格的出现与材料的微结构变化有关.测试了该样品在低温下的疲劳性能.与超晶格出现以前相比,其疲劳寿命有所提高,这对于PZT材料的应用有着重要的意义。

钽酸锶铋陶瓷靶的烧结及其薄膜微结构分析

高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由ＳｒＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３和Ｔａ２Ｏ５粉末混合、预烧、压模和烧结而成，预烧和烧结温度范围分别为９００～１０００℃和１０００～１４００℃。用脉冲准分子激光沉积技术制备得到非晶钽酸锶铋薄膜，在氧气氛下经退火得到多晶钽酸锶铋薄膜。ＸＲＤ分析得到钽酸锶铋薄膜择优取向以（００８）和（１１５）为主；ＴＥＭ分析得到钽酸锶铋薄膜晶界清晰、结构致密，平均晶粒大小约为２０ｎｍ，薄膜的界面清晰、陡峭，厚度约为２００ｎｍ。

Ho^(3+)掺杂对六角YMn_(0.8)Fe_(0.2)O_(3)微结构和磁性质的调控

本文利用高温固相反应法合成了六角Y1-xHoxMn_(0.8)Fe_(0.2)O_(3)多晶样品,研究Ho^(3+)掺杂对YMn_(0.8)Fe_(0.2)O_(3)微结构以及磁性质的影响。X射线衍射和拉曼测量结果显示所有样品均为单相六角结构,当Ho^(3+)掺杂浓度低于0.15时,晶格常数a、c,晶胞体积及Mn—O键长均随着掺杂浓度的增加而减小。A位稀土原子位移差以及拉曼声子模式的变化表明随着Ho^(3+)掺杂比例增加,A位稀土原子相对于平面的偏移减小,MnO5双锥体倾斜角减小,B位Mn^(3+)的三聚作用被削弱,Mn^(3+)—O2-—Mn^(3+)间超交换作用减弱,反铁磁(AFM)序被抑制,反铁磁转变温度下降。磁性测量显示低温下Y_(0.9)Ho_(0.1)Mn_(0.8)Fe_(0.2)O_(3)的磁化强度显著增强,弱铁磁(WFM)序增加,归因于Ho^(3+)加入后系统磁阻挫行为的降低及Ho^(3+)—O^(2-)—Mn^(3+)间自旋交换作用产生的铁磁序。这为进一步探索室温多铁性材料提供了思路。

介电体超晶格与微结构研究

介电体通常是绝缘体,其中重要的物理过程是经典波(光波与超声波)的传播与激发过程。经典波波矢甚小于介电晶体的倒格矢,因此经典波在介电晶体中的行为完全等价于连续介质中的行为。在介电晶体中引入可与经典波波长比拟的超周期,即构成介电体超晶格,或称光学超晶格、声学超品格、微米超晶格,这意味着经典波在周期场中传播。于是像倒空间、

外延生长的SrTiO_3/DyScO_3薄膜的微结构研究

利用激光分子束外延技术在DyScO3（DSO）衬底上异质外延生长了SrTiO3（STO）薄膜.采用原位X射线衍射方法在20~300 K范围内测量了低温下薄膜的热膨胀系数;讨论了应变与晶格失配之间的关系.薄膜的晶格参数在80 K的异常变化可能预示着结构相变的存在.高分辨X射线衍射用来分析样品中存在的两种位错：剪切位错和螺旋位错.结果显示,总的螺旋位错密度要比剪切位错密度大得多.我们认为螺旋位错是样品生长过程中的主要缺陷;剪切位错密度随着样品厚度的增加而增加.这两种位错密度之间的比例关系决定了薄膜的生长模式.