自然氧化和电子辐照对多孔硅结构有序度的影响

多孔硅在空气中自然氧化形成Si—O—Si键,引起晶格畸变,导致有序度下降,氧化层用HF去除,有序度可恢复。大束流电子束辐照直接引起晶粒无序化,其有序度不能在HF浸泡中恢复。

硅／多孔硅异质结光生电压谱研究

首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不连续的，其差值为硅晶格常数的整数倍，光生电压谱是研究多孔硅和硅／多孔硅异质结能带结构的有效方法．

用硅化物作注入阻挡层形成浅结

本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p^+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P^+-n结。TiSi_2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。

离子辐照与发光多孔硅

报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红移,半高宽减小,如果样品被非晶化将不发光,因此,为离子注入控制多孔硅发光图形的形成提供了物理依据,制成的图形分辨率达2μm。

用离子注入控制形成多孔硅发光图形

本文提出了一种形成多孔硅发光图形的方法。以淀积的Al作掩膜,通过硅自注入使样品选区非晶化。阳极处理使单晶区生成发光区,非晶区成为不发光区,形成多孔硅发光图形,分辨率达2μm。讨论了离子注入对多孔硅形成与发光的影响。

离子辐照对多孔硅性质的影响

本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．